[发明专利]一种激光加工芯片的方法

权利要求书

1.一种激光加工芯片的方法，其特征在于，包括：

由激光器、整形元件、振镜、平场透镜搭建激光加工系统；

获取制冷型红外探测芯片信息、以及在制冷型红外探测芯片上待划槽的槽形信息；

根据制冷型红外探测芯片信息、槽形信息确定激光加工系统中激光加工光束的激光光斑；

通过调整整形元件将激光加工光束整形为对应激光光斑，并由激光光斑照射至制冷型红外探测芯片表面，以使在制冷型红外探测芯片上的像元层与边缘之间形成一闭合环形沟槽；其中，所述激光光斑为平顶光斑；

在所述通过调整整形元件将激光加工光束整形为对应激光光斑之后，所述方法还包括：

由具有第一功率的激光光斑对制冷型红外探测芯片的感光层进行加工形成两条平行槽；然后由具有第二功率的激光光斑在两条平行槽之间对制冷型红外探测芯片内部环氧树脂层进行加工；其包括：

调整制冷型红外探测芯片位置和角度，以使待划槽位于振镜正下方，且整个待划槽与激光光斑入射面处于水平位置；

移动振镜通过具有第一功率的两束第一激光光斑同时对红外探测芯片的感光层进行加工形成两条平行槽，其中，所述两束第一激光光斑部分重叠；或者，移动振镜通过具有第一功率的一束第一激光光斑分别对红外探测芯片的感光层进行加工形成两条平行槽，其中，前一束所述第一激光光斑与后一束所述第一激光光斑部分重叠；

恢复放置制冷型红外探测芯片的工作台至初始位置，保持制冷型红外探测芯片水平；

然后移动振镜通过具有第二功率的一束第二激光光斑加工光束在两条平行槽之间对制冷型红外探测芯片内部环氧树脂层进行加工，以使在制冷型红外探测芯片上的像元层与边缘之间形成一闭合环形沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光光斑包括方形平顶光斑、圆形平顶光斑、椭圆平顶光斑、菱形平顶光斑中一种或者任意组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述槽形信息包括沟槽槽形、沟槽宽度、沟槽深度中一种或者任意组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一功率大于第二功率。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一功率大于300mW；

所述第二功率范围为80mW-150mW。

6.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述激光光斑宽度为8um-12um。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制冷型红外探测芯片从上至下依次为感光层、环氧树脂层、芯片电路层；其中，

所述沟槽深度D范围为制冷型红外探测芯片表面感光层厚度D1D制冷型红外探测芯片感光层厚度D1+环氧树脂层厚度D2。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光脉冲范围为7ps-20ps；

激光加工系统的加工速度为大于3000mm/s，小于5000mm/s。