[发明专利]一种五结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP/Al_zGa_1-zAs/GaAs/Ga_mIn_1-mAs/GanIn_1-nAs五结太阳电池，其特征在于：包括双面抛光的GaAs衬底，所述GaAs衬底的上表面上由上至下依次设置(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP子电池和Al_zGa_1-zAs子电池，所述GaAs衬底的下表面上由上至下依次设置Ga_mIn_1-mAs子电池和Ga_nIn_1-nAs子电池；

优选的，所述GaAs衬底的上表面上由上至下依次设置(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP子电池、第四隧道结、Al_zGa_1-zAs子电池、第三隧道结、GaAs子电池窗口层和GaAs子电池发射区层，所述GaAs衬底的下表面上由上至下依次设置GaAs子电池背场层、第二隧道结、AlGaInAs第一晶格渐变缓冲层、Ga_mIn_1-mAs子电池、第一隧道结、AlGaInAs第二晶格渐变缓冲层和Ga_nIn_1-nAs子电池。

2.根据权利要求1所述的五结太阳电池，其特征在于：所述(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP子电池、所述Al_zGa_1-zAs子电池、所述GaAs子电池窗口层、所述GaAs子电池发射区层和所述GaAs子电池背场层的晶格常数与所述GaAs衬底的晶格常数匹配。

3.根据权利要求1或2所述的五结太阳电池，其特征在于：所述AlGaInAs第一晶格渐变缓冲层中In组分比例由0逐渐增加至1-m，晶格常数由与GaAs匹配渐变至与Ga_mIn_1-mAs匹配。

4.根据权利要求1-3任一所述的五结太阳电池，其特征在于：所述AlGaInAs第二晶格渐变缓冲层中In组分比例由1-m逐渐增加至1-n，晶格常数由与Ga_mIn_1-mAs匹配渐变至与Ga_nIn_1-nAs匹配。

5.根据权利要求1-4任一所述的五结太阳电池，其特征在于：所述(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP子电池叠层结构由上至下依次包括第一窗口层、(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP发射区、(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP基区和第一背场层，优选的，y为0.5，x为0-0.5，优选的，(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP材料的带隙在1.85eV～2.23eV区间内。

6.根据权利要求1-5任一所述的五结太阳电池，其特征在于：所述Al_zGa_1-zAs子电池叠层结构由上至下依次包括第二窗口层、Al_zGa_1-zAs发射区、Al_zGa_1-zAs基区和第二背场层，优选的，z为0.06-0.3，优选的，Al_zGa_1-zAs材料带隙在1.5eV～1.8eV区间内。