[发明专利]整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板及其制备方法在审
申请号: | 201811607484.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109503175A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 孙百忠;高礼文;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 | 申请(专利权)人: | 泰晟新材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;F41H5/02 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 耿霞 |
地址: | 255100 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化硅 防弹陶瓷 制备 氧化钇 氧化钕 氧化铝 掺钕钇铝石榴石 质量百分比 防弹性能 陶瓷材料 原料粉体 合成 | ||
1.一种整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,其特征在于:原料粉体包括氮化硅和掺钕钇铝石榴石;所述掺钕钇铝石榴石由氧化钇、氧化铝、氧化钕合成;所述氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的质量百分比如下:
2.根据权利要求1所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板,其特征在于:氮化硅中α-氮化硅的质量含量≥92%;氮化硅、氧化钇、氧化铝、氧化钕的平均粒度均为2-10μm,纯度均为99.99%。
3.一种权利要求1-2任一项所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)用固相合成法将氧化钇、氧化铝、氧化钕合成掺钕钇铝石榴石,再进行研磨,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;
(2)将氮化硅进行研磨,干燥,预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇混合,研磨,干燥,得到原料粉体;
(4)在步骤(3)得到的原料粉体中加入去离子水、丙烯酰胺、交联剂和分散剂,研磨,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空,再依次加入催化剂和引发剂,搅拌,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,固化后取出胚体,再进行干燥、烧结和表面打磨处理,即得整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
4.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(1)的研磨介质为去离子水,掺钕钇铝石榴石与去离子水的质量比为0.7-1.2:1;
步骤(2)的研磨介质为无水乙醇,氮化硅与无水乙醇的质量比为1:0.7-1.0;
步骤(3)的研磨介质为无水乙醇,掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇的质量比为1:0.7-1.0。
5.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(4)中交联剂为N,N—亚甲基双丙烯酰胺,分散剂为四甲基氢氧化铵。
6.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(4)中去离子水、丙烯酰胺、交联剂、分散剂和原料粉体的质量比为20-30:1-3:0.05-0.15:0.1-0.5:100。
7.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(5)中催化剂为5wt%乙二胺溶液,引发剂为5wt%硫代硫酸铵溶液。
8.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(5)中水基料浆、催化剂和分散剂的体积比为1000:1-3:1.5-6。
9.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:步骤(6)中干燥温度为120-300℃,时间为10-48h。
10.根据权利要求3所述的整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将氧化钇、氧化铝、氧化钕混合,用固相合成法在1500-1700℃下合成掺钕钇铝石榴石,与去离子水混合,研磨至平均粒度为0.3-0.8μm,烘干,得到掺钕钇铝石榴石粉体;
(2)将氮化硅与无水乙醇混合,研磨至D50=0.3-0.8μm,喷雾烘干,再在500-600℃下预烧,得到表面形成氧化膜的氮化硅粉体;
(3)将步骤(1)和步骤(2)得到的掺钕钇铝石榴石粉体和氮化硅粉体与无水乙醇混合,研磨至D50=0.8-1.0μm,真空干燥,得到平均粒度为5-50μm的原料粉体;
(4)在步骤(3)得到的原料粉体中加入去离子水、丙烯酰胺、交联剂和分散剂,研磨4-6h,得到水基料浆;
(5)将步骤(4)得到的水基料浆抽真空,滴加催化剂,搅拌1-5min,再滴加引发剂,搅拌1-5min,得到成型料浆;
(6)将步骤(5)得到的成型料浆注入防弹陶瓷板的模腔中,固化40-50min,取出胚体,再进行干燥、烧结和表面打磨处理,即得等弧形氮化硅防弹陶瓷板。
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