[发明专利]一种基于萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器及其制备方法和应用有效
申请号: | 201811607600.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109682857B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 刘全;刘存芳;田光辉;季晓晖;葛红光 | 申请(专利权)人: | 陕西理工大学 |
主分类号: | G01N27/02 | 分类号: | G01N27/02;C07D333/08 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710046 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 萘封端 三联 噻吩 衍生物 电学 阻抗 生物 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.萘封端三联噻吩衍生物在制备生物胺薄膜传感器中的应用,其特征在于,所述萘封端三联噻吩衍生物结构如下所示:
所述生物胺为多巴胺、酪胺、组胺、色胺和三甲胺。
2.一种萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺薄膜传感器,其特征在于,包括基片,基片上固定设置叉指电极,在该叉指电极表面镀膜有机活性层,有机活性层表面镀膜有银电极层;其中,有机活性层所用材料的结构式如下:
有机活性层厚度为50~100nm。
3.如权利要求2所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺薄膜传感器,其特征在于,叉指电极的叉指宽度为8~12mm,叉指间距为50~150μm,叉指对数5~10对。
4.如权利要求2所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺薄膜传感器,其特征在于,银电极层的厚度为150~200nm。
5.权利要求2~4中任意一项所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺薄膜传感器在食品腐败程度检测中的应用。
6.权利要求2~4中任意一项所述的萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺薄膜传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将基片清洗、干燥后,把叉指电极固定于基片上;
2)将步骤1)中固定有叉指电极的基片置于真空镀膜装置中,并向真空镀膜装置中装入有机活性层材料,设置真空镀膜参数:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-6~1E-5mbar,蒸镀温度为80~200℃;
3)降低真空镀膜装置的腔内气压,当腔内气压小于5.0mbar时,开启分子泵,当气压达到蒸镀压力时,开始蒸镀薄膜,直至镀膜的有机活性层达到所需的厚度;
4)在步骤3)制得的薄膜上固定不锈钢掩膜版,并向真空镀膜装置中装入银颗粒;然后更新真空镀膜参数:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-4~1E-5mbar,蒸镀温度为150~250℃;
5)开启减压装置来降低真空镀膜装置的腔内气压,当腔内气压小于5.0mbar时,开启分子泵,当气压达到蒸镀压力时,开始蒸镀薄膜,直至镀膜的银电极层达到所需的厚度,制得萘封端三联噻吩衍生物电学阻抗型生物胺传感器。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中,基片采用厚度为0.5~1.1mm的玻璃基片,依次以二次水、异丙醇和丙酮清洁玻璃基片,干燥用氮气枪吹干;然后将叉指电极通过双面胶粘合于玻璃基片。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中,真空镀膜参数设置如下:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-6mbar,蒸镀温度为90℃;
步骤4)中,真空镀膜参数设置如下:蒸镀速度为蒸镀压力为1E-5mbar,蒸镀温度为180℃。
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