[发明专利]InGaAs探测器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811607949.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686804B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ingaas 探测器 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种InGaAs探测器芯片，其特征在于，所述InGaAs探测器芯片包括衬底和依次设置在衬底上的N型半导体层、吸收层及P型半导体层，所述N型半导体层为n+掺杂的InP层，所述P型半导体层为p+掺杂的InP层，所述吸收层包括p+掺杂的P型InGaAs吸收层和n+掺杂的N型InGaAs吸收层，所述P型InGaAs吸收层与P型半导体层相邻，所述N型InGaAs吸收层与N型半导体层相邻，所述P型InGaAs吸收层的掺杂浓度为5E15cm-3~9E16cm-3、厚度为50nm~200nm，所述N型InGaAs吸收层的掺杂浓度为5E14cm-3~9E15cm-3、厚度为2000nm~4000nm，并且所述P型InGaAs吸收层的掺杂浓度大于N型InGaAs吸收层的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的InGaAs探测器芯片，其特征在于，所述P型InGaAs吸收层的掺杂浓度为1E16cm-3，所述N型InGaAs吸收层的掺杂浓度为1E15cm-3。
3.根据权利要求1所述的InGaAs探测器芯片，其特征在于，所述P型InGaAs吸收层的厚度为100nm，N型InGaAs吸收层的的厚度为2900nm。
4.根据权利要求1所述的InGaAs探测器芯片，其特征在于，所述衬底为InP衬底。
5.根据权利要求1所述的InGaAs探测器芯片，其特征在于，所述P型半导体层上还设有p+掺杂的InGaAs接触层。
6.一种InGaAs探测器芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上外延生长N型半导体层，所述N型半导体层为n+掺杂的InP层；
在所述N型半导体层上外延生长吸收层，所述吸收层包括p+掺杂的P型InGaAs吸收层和n+掺杂的N型InGaAs吸收层，所述P型InGaAs吸收层与P型半导体层相邻，所述N型InGaAs吸收层与N型半导体层相邻，所述P型InGaAs吸收层的掺杂浓度为5E15cm-3~9E16cm-3、厚度为50nm~200nm，所述N型InGaAs吸收层的掺杂浓度为5E14cm-3~9E15cm-3、厚度为2000nm~4000nm，并且所述P型InGaAs吸收层的掺杂浓度大于N型InGaAs吸收层的掺杂浓度；
在所述吸收层上外延生长P型半导体层，所述P型半导体层为p+掺杂的InP层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
