[发明专利]一种光气耦合晶体生长装置

权利要求书

1.一种光气耦合晶体生长装置，包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶，籽晶设于坩埚内，其特征在于，坩埚一侧开设有坩埚通光口，激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播。

2.根据权利要求1所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，激光光源的光传播路径设有至少一个交叉节点、且激光光源在该交叉节点处形成有光强最强区域。

3.根据权利要求2所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，坩埚的形状设置为结形结构、哑铃型结构或“8”字形结构，以激光光源在坩埚内回音壁式传播并激光光源交叉形成有光强最强区域。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，还包括至少一个喷风口，至少一个喷风口喷送气体至反应溶液。

5.根据权利要求4所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，喷风口可垂直喷吹或倾斜喷吹气体至反应溶液，喷风口的喷送流速可恒定不变或周期性改变。

6.根据权利要求4所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，籽晶设有至少一组，至少一组籽晶可位于喷风口正下方或置于喷风口任意一侧或分别置于喷风口两侧。

7.根据权利要求1所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，还包括加热装置，加热装置加热坩埚内的反应溶液并使坩埚内形成有至少一个温区，不同温区的反应溶液可产生对流运动。

8.根据权利要求7所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，加热装置可设置为电阻加热装置或射频加热装置。

9.根据权利要求1任一项所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，激光光源可为紫外光源或红外光源，激光光源的波长范围为100nm～1064nm，激光光源可以是单一波长或多波长的组合，激光光源可设置为准分子光源、全固态光源、倍频光源或脉冲光源的任一种，激光光源的光束半径至少大于0.1微米。

10.根据权利要求1所述的一种光气耦合晶体生长装置，其特征在于，反应釜体内设有进气口和出气口，进气口和出气口用于实现反应釜体腔体内的压强调节。