[发明专利]高线性度的电压自举开关

权利要求书

1.一种高线性度的电压自举开关，包括：电压自举开关电路；以及

电荷补偿电路，包括：

第十三NMOS管、第十二NMOS管和第十一NMOS管，所述第十一NMOS管的漏极与所述第十三NMOS管的漏极互接，所述第十一NMOS管的漏极还与所述电压自举开关电路的第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的源极、第十四NMOS管的漏极互接；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极与所述电压自举开关电路的第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极互接；所述第三PMOS管的源极与所述电压自举开关电路的第一PMOS管的源极和第七NMOS管的源极互接；所述第三PMOS管的衬底与所述第三PMOS管的源极互接；

第四电容，所述第四电容的上极板分别连接所述第三PMOS管的漏极、所述第十一NMOS管的源极；所述第四电容的下极板连接所述电压自举开关电路的第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的源极；

第五电容，所述第五电容的上极板连接所述第十三NMOS管的源极、第十一NMOS管的栅极和所述电压自举开关电路的第十四NMOS管的栅极；所述第五电容的下极板接反相时钟；

第六电容，所述第六电容的上极板连接所述电压自举开关电路的第十四NMOS管的源极和第十三PMOS管的栅极；所述第六电容的下极板接时钟。

2.根据权利要求1所述的高线性度的电压自举开关，其中，所述电压自举开关电路包括：

第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与电源连接；

第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极分别与第二NMOS管的栅极和第一PMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的漏极与开关的输入端和第二NMOS管的源极连接；所述第一NMOS管的源极与开关的输出端连接；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极与第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接；

第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极与反相时钟信号连接，所述第四NMOS管的源极接地；

第五NMOS管，所述第五NMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极和时钟信号连接；所述第五NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极连接；

第六NMOS，所述第六NMOS管的栅极与电源连接；第六NMOS管的漏极与第一NMOS管的栅极连接；

第七NMOS管，所述第七NMOS管的栅极与反相时钟信号连接；所述第七NMOS管是源极接地；所述第七NMOS管的漏极与所述第六NMOS的源极连接；

第八NMOS管，所述第八NMOS管的漏极与电源连接；

第九NMOS管，所述第九NMOS管的漏极与电源连接；

第十NMOS管，所述第十NMOS管的漏极与电源连接；

第一电容，所述第一电容的上极板分别与所述第二NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的源极连接；所述第一电容的下极板分别与所述第一PMOS管的源极、所述第一PMOS管的衬底和所述第八NMOS管的源极连接；

第二电容，第二电容的上极板分别与所述第八NMOS管的栅极、所述第九NMOS管的源极和所述第十NMOS管的栅极连接；所述第二电容的下极板与时钟信号连接；

第三电容，所述第三电容的上极板与所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的源极连接；所述第三电容的下极板与反相时钟信号连接。