[发明专利]一种AlN纳米结构及其制备方法

权利要求书

1.一种AlN纳米结构，其特征在于，该结构自下至上依次为衬底、Ni金属层、AlN纳米片，所述AlN纳米片由AlN纳米棒水平堆叠而成，且AlN纳米片的形貌演变具有周期性；所述AlN纳米结构的制备过程包括如下步骤：

（1）通过电子束蒸发工艺，在衬底上蒸镀Ni金属层；

（2）通过等离子增强化学气象沉积法，在步骤（1）的Ni金属层上生长AlN纳米片。

2.根据权利要求1所述的一种AlN纳米结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO、LiGaO₂、LaSrAlTaO₆、Al或Cu。

3.根据权利要求1所述的一种AlN纳米结构，其特征在于，所述AlN纳米片的形状包括片状、环状或花瓣状。

4.制备权利要求1~3任一项所述的一种AlN纳米结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）通过电子束蒸发工艺，在衬底上蒸镀Ni金属层；

（2）通过等离子增强化学气象沉积法，在步骤（1）的Ni金属层上生长AlN纳米片。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述Ni金属层的厚度为2-20 nm。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述AlN纳米片的厚度为300-2000nm。