[发明专利]片状磁体磁控溅射镀膜工艺

权利要求书

1.片状磁体磁控溅射镀膜工艺，其特征在于，包括：

将块状磁体在一个非取向方向上的厚度加工至小于极限距离，并将块状磁体在该非取向方向上的截面尺寸加工至与片状磁体的设计尺寸相同，得目标块状磁体；

用磁控溅射法在目标块状磁体朝向该非取向方向的表面上溅射重稀土元素膜；

将溅射有重稀土元素膜的目标块状磁体进行热处理；

将热处理完成的目标块状磁体根据片状磁体的设计厚度，切割成多块片状磁体；

当单面镀膜时，极限距离为重稀土元素在块状磁体中渗透的最远且重稀土元素浓度满足要求的距离；

当双面相对镀膜时，极限距离为重稀土元素在块状磁体中渗透的最远且重稀土元素浓度满足要求的距离的1/2；

热处理包括：

在800~900℃下保温10~20小时，在460~560℃下保温3~6小时；

在800~900℃下保温时，交替进行升温过程和降温过程，在升温过程中，在10分钟内，将温度由800℃升高至900℃，在降温过程中，在50分钟内，将温度由900℃降低至800℃；

在800~900℃下保温时，交替向目标块状磁体施加100kHz的超声波和20kHz的超声波，施加100kHz的超声波的时间段与升温过程的时间段重合，施加20kHz的超声波的时间段与降温过程的时间段重合；

块状磁体为烧结钕铁硼。

2.如权利要求1所述的片状磁体磁控溅射镀膜工艺，其特征在于，工作气体为氩气，溅射镀膜时，溅射室压力为0.2~0.6Pa。

3.如权利要求1所述的片状磁体磁控溅射镀膜工艺，其特征在于，重稀土元素膜的厚度为3.5~4.5μm。