[发明专利]用于执行存储器操作的可变电阻式存储器装置与方法有效

专利信息
申请号: 201811609321.6 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN111383685B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 黄科颕 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李小波;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 执行 存储器 操作 可变 电阻 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,包括:

在首次执行重置操作的重置期间的起点之前感测所述存储单元的电阻值,并判断所述存储单元的电阻值是否小于阀值;

当所述存储单元的电阻值小于所述阀值时,在重置期间的升压期间,依据所述存储单元的所述电阻值推升重置电压,以产生经升压重置电压,其中所述升压期间始于所述重置期间的起点;以及

在所述经升压重置电压对所述存储单元进行偏压后,以首次执行所述重置操作。

2.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中依据所述存储单元的所述电阻值决定所述升压期间的长度以及所述经升压重置电压的电平。

3.根据权利要求2所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中所述升压期间的所述长度与所述经升压重置电压的所述电平之中至少一者随所述存储单元的所述电阻值的减少而增加。

4.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中所述重置期间的所述升压期间小于所述重置期间的非升压期间。

5.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中在所述重置期间的所述升压期间,依据所述存储单元的所述电阻值推升所述重置电压的步骤包含:

在所述重置期间的所述升压期间,推升耦接于所述存储单元的字线的字线电压,其中所述重置电压随所述字线电压的增加而增加。

6.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中在所述重置期间的所述升压期间,依据所述存储单元的所述电阻值推升所述重置电压的步骤包含:

在所述重置期间的所述升压期间,推升耦接于所述存储单元的源线的源线电压,其中所述重置电压随所述源线电压的增加而增加。

7.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中在所述重置期间的所述升压期间,依据所述存储单元的所述电阻值推升所述重置电压的步骤包含:

在所述重置期间的所述升压期间,降低耦接于存储单元的位线的位线电压,其中所述重置电压随所述位线电压的减少而增加。

8.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法,其中

所述可变电阻式存储器装置的多个存储单元同时被执行所述重置操作;

所述多个存储单元中的第一存储单元被施加的第一重置电压不同于所述多个存储单元中的第二存储单元被施加的第二重置电压。

9.一种可变电阻式存储器装置,包含:

包含存储单元的可变电阻式存储器阵列;

感测放大器,耦接所述可变电阻式存储器阵列,被配置以在首次执行重置操作的重置期间的起点之前感测所述存储单元的电阻值;

升压电路,耦接所述存储单元,被配置为,在首次执行所述重置期间的起点之前判断所述存储单元的电阻值是否小于阀值,当所述存储单元的电阻值小于所述阀值时,在所述重置期间的升压期间依据所述存储单元的所述电阻值推升重置电压,以产生经升压重置电压,其中所述升压期间始于所述重置期间的起点,并且所述存储单元在所述重置期间被所述重置电压偏压,以执行所述重置操作。

10.根据权利要求9所述的可变电阻式存储器装置,其中所述升压期间的长度以及所述经升压重置电压的电平是依据所述存储单元的所述电阻值决定。

11.根据权利要求10所述的可变电阻式存储器装置,其中所述升压期间的所述长度与所述经升压重置电压的所述电平之中至少一者随所述存储单元的所述电阻值的减少而增加。

12.根据权利要求9所述的可变电阻式存储器装置,其中所述重置期间的所述升压期间小于所述重置期间的非升压期间。

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