[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法以及擦除数据的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器装置的方法，包括：

响应于指向多个子块内的选择的子块的擦除命令，对包括所述多个子块的存储器块内的至少一个牺牲子块执行数据读取操作；然后，

对所述至少一个牺牲子块执行软编程操作；然后，

对所述多个子块内的选择的子块执行数据擦除操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行数据擦除操作的步骤包括：向存储器块在其上形成的基底的体区域提供擦除电压；其中，所述至少一个牺牲子块设置在选择的子块与基底之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，存储器块包括：共源线；其中，所述至少一个牺牲子块相对于选择的子块更靠近共源线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述至少一个牺牲子块执行数据读取操作的步骤包括：使用第一读取电压来读取包括在所述至少一个牺牲子块中的多个牺牲存储器单元之中的多个第一牺牲存储器单元；其中，所述多个第一牺牲存储器单元共同连接到存储器块内的第一字线。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，软编程操作是一次性编程操作，其中，在一次性编程操作期间，对至少多个第一牺牲存储器单元同时进行编程。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，软编程操作是一次性编程操作，其中，在一次性编程操作期间，对所述至少一个牺牲子块内的至少多个存储器单元同时进行编程，从而增大所述至少多个存储器单元的各自的阈值电压。

7.一种擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据方法，存储块包括沿着与基底相交的方向堆叠的存储器单元，存储器块被划分为被配置为被独立地擦除的多个子块，所述方法包括：

接收针对所述多个子块之中的选择的子块的数据擦除命令；

对所述多个子块之中的至少一个牺牲子块执行数据读取操作；

基于数据读取操作的结果，对所述至少一个牺牲子块选择性地执行软编程操作；

在执行数据读取操作和选择性地执行软编程操作之后，对选择的子块执行数据擦除操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述至少一个牺牲子块被设置为比选择的子块更靠近在数据擦除操作中使用的擦除源。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

在数据擦除操作中，擦除电压被提供给在其上形成存储器块的基底中的体区域，

所述至少一个牺牲子块被设置为低于选择的子块，使得所述至少一个牺牲子块比选择的子块更靠近基底。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一个牺牲子块被设置为比选择的子块更靠近共源线。

11.根据权利要求7所述的方法，其中：对所述至少一个牺牲子块执行数据读取操作的步骤包括：

基于第一读取电压，读取包括在所述至少一个牺牲子块中的多个牺牲存储器单元之中的多个第一牺牲存储器单元，其中，多个第一牺牲存储器单元连接到一条字线。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，对所述至少一个牺牲子块选择性地执行软编程操作的步骤包括；

当第一牺牲存储器单元之中的第一存储器单元的数量大于参考数量时，对所述多个牺牲存储器单元执行软编程操作，其中，每个第一存储器单元具有低于第一读取电压的阈值电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，软编程操作是对所有的所述多个存储器单元同时进行编程的一次性编程操作。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，第一读取电压是用于确定每个第一牺牲存储器单元的擦除状态的电压。