[发明专利]一种NbSe2

权利要求书

1.一种NbSe₂单晶层状纳米片的合成方法，其特征在于，所述合成方法包括以下步骤：

1)将载气源、NbSe₂源和多个沉积衬底，沿同一直线方向上依次放置在载片上，在载片的表面位于载气源之间NbSe₂具有凸起，NbSe₂源与多个沉积衬底之间的距离由凸起的高度和管式炉的高温区到边缘的距离共同决定；

2)将布置有载气源、NbSe₂源和多个沉积衬底的载片放置在密封反应器内，对密封反应器内抽真空后密封；

3)将密封反应器放置在水平管式炉内加热，控制加热速度为50～60℃/min，加热升温至中心温度保持在800～900℃间，载气源加热蒸发作为载气，高温气流扩散经过凸起，减缓气流扩散速度，载气的高温气流扩散至NbSe₂源上面，发生可逆反应在NbSe₂源处的温度高于600℃，为正向过程；生成的NbI₂和Se输运至低温的沉积衬底上，沉积衬底处的温度低于600℃，在沉积衬底上发生逆向反应沉积，载气继续扩散至沉积衬底上促进反应的逆向过程，控制生长时间，从而通过化学气相输运CVT实现在沉积衬底上生长纳米级厚度的NbSe₂；

4)关闭水平管式炉，使密封反应器自然冷却至室温；

5)待密封反应器完全冷却后，调整密封反应器在水平管式炉中的位置，把生长有纳米级厚度的NbSe₂的沉积衬底移动到水平管式炉的高温区，打开密封反应器并持续抽真空，再次加热密封反应器；控制加热温度，保持温度退火，使得表面的载气源单质蒸发而不会继续化学反应，不会影响已生成产物的质量和产率；

6)关闭水平管式炉，密封反应器在保持真空的条件下自然冷却至室温，从密封反应器中取出沉积衬底，得到NbSe₂单晶层状纳米片。

2.如权利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步骤1)中，沉积衬底的边长为5～10cm；沉积衬底的个数为4～10；载气源的质量为1～5g；NbSe₂源的质量为0.01～0.2g；凸起的高度为密封反应器的密封腔高度的1/6～1/3；NbSe₂源与多个沉积衬底之间的距离在水平管式炉的高温区到边缘距离的±4cm范围之间。

3.如权利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步骤2)中，密封反应器内的真空度低于1Pa。

4.如权利要求1所述的合成方法，其特征在于，在步骤5)中，升温至150～250℃，退火2～3小时。