[发明专利]一种晶须自结合SiC耐火材料及其制备方法在审
申请号: | 201811609498.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109437947A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 张海军;王慧芳;张少伟;毕玉保;李赛赛 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/66 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 催化剂溶液 复合粉体 浸渍 耐火材料 保护剂 催化剂 保护剂溶液 磁力搅拌 水混合 坯体 种晶 制备 抗渣侵蚀性能 抗氧化性能 生产成本低 碳化硅颗粒 热处理 环境友好 力学性能 膨胀石墨 硅粉 混碾 晶须 困料 球磨 | ||
本发明涉及一种晶须自结合SiC耐火材料及其制备方法。其技术方案是:将催化剂和水混合,磁力搅拌,得到催化剂溶液;将保护剂和水混合,搅拌,得到保护剂溶液;将催化剂溶液和保护剂溶液混合,磁力搅拌,得到含保护剂的催化剂溶液;将膨胀石墨和硅粉混合,球磨,得到复合粉体;将复合粉体浸渍于含保护剂的催化剂溶液中,干燥后得到浸渍有催化剂的复合粉体;将浸渍有催化剂的复合粉体和碳化硅颗粒混合,混碾,困料,压制成型,制得坯体;将坯体在氩气氛和1200~1400℃条件下热处理2~4h,制得晶须自结合SiC耐火材料。本发明生产成本低、反应温度低和环境友好;所制制品的力学性能、抗渣侵蚀性能和抗氧化性能优异。
技术领域
本发明涉及一种SiC耐火材料技术领域。尤其涉及一种晶须自结合SiC耐火材料及其制备方法。
背景技术
自结合SiC是以β-SiC为结合相的碳化硅材料,具有导热性能好、热稳定性高、高温下长时间使用不变形、不软化和不产生疏松膨胀等优点,作为隔焰板使用在高温窑炉上,能显著提高炉膛温度,节约能源、增加产量和提高经济效益。同时还具有较好的耐磨性和抗腐蚀性能,广泛应用于高温结构部件,如高炉风口、陶瓷杯、有色冶炼窑炉和垃圾焚烧炉等。如在日本的大型高炉内衬(李红霞.耐火材料手册[M].北京:冶金工业出版社,2007:473-486.),宝钢2#高炉和首钢京唐5500m3超大型高炉上的风口组合砖,中钢集团洛阳耐火材料研究院研制的非风口区域炉衬部位(李付,吕春江,李杰,等.高炉用新型自结合碳化硅砖性能研究[J].耐火材料,2011,45(5):364-366.)及中铝连城等公司的铝电解槽上(黄志明,黄志林,周东方,等.铝电解槽用自结合碳化硅侧衬材料的性能[J].轻金属,2011,(11):37-39.)均使用了自结合SiC材料。
现有技术的使用显示,自结合SiC耐火材料普遍存在着骨料与骨料之间、骨料与基质之间结合强度差,颗粒搭配不合理及制备温度高等问题,提高了自结合SiC材料的生产成本,且服役寿命也不够理想。
发明内容
本发明旨在克服现有自结合SiC耐火材料的不足,目的在于提供一种生产成本低、反应温度低和环境友好的晶须自结合SiC耐火材料的制备方法;所制备的晶须自结合SiC耐火材料的结合相为晶须,力学性能、抗渣侵蚀性能和抗氧化性能优异。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:
步骤一、按催化剂∶水的质量比为(10~50)∶100,将所述催化剂和水混合,磁力搅拌30~60min,得到催化剂溶液。
步骤二、按保护剂∶水的质量比为(20~100)∶100,将所述保护剂和水混合,于70℃条件下磁力搅拌90~150min,得到保护剂溶液。
步骤三、按所述催化剂溶液∶所述保护剂溶液的质量比为(1~50)∶100,将所述催化剂溶液和所述保护剂溶液混合,磁力搅拌30~60min,得到含保护剂的催化剂溶液。
步骤四、按膨胀石墨∶硅粉的质量比为(30~50)∶100,将所述膨胀石墨和所述硅粉混合,球磨3~6h,得到复合粉体。
步骤五、按所述含保护剂的催化剂溶液∶所述复合粉体的质量比为(10~50)∶100,将所述复合粉体浸渍于所述含保护剂的催化剂溶液中,浸渍时间为12~48h,取出干燥,得到浸渍有催化剂的复合粉体。
步骤六、按所述浸渍有催化剂的复合粉体∶碳化硅颗粒的质量比为(5~40)∶100,将所述浸渍有催化剂的复合粉体与碳化硅颗粒混合,混碾20~60分钟,困料12~48小时,在100~500MPa条件下压制成型,制得坯体。
步骤七、将所述坯体置于高温气氛炉中,在氩气氛和1200~1400℃条件下热处理2~4h,制得晶须自结合SiC耐火材料。
所述催化剂为硝酸铁、硝酸钴和硝酸镍中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811609498.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。