[发明专利]二氧化硅层、其制造方法、形成其的组合物及电子装置

权利要求书

1.一种用于形成二氧化硅层的组合物，其特征在于，包含：

含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合，其中以所述用于形成二氧化硅层的组合物的总量计，包含0.1重量％到30重量％的量的所述含硅聚合物；以及

溶剂，

其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1：

[方程式1]

0.98≤B/A≤1.24

其中，在方程式1中，

A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且

B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。

2.一种用于制造二氧化硅层的方法，其特征在于，包括：

将根据权利要求1所述的用于形成二氧化硅层的组合物涂布在衬底上；

对涂布有所述用于形成二氧化硅层的组合物的所述衬底进行干燥；以及

在大于或等于150℃的包括惰性气体的气氛下对所述衬底进行固化。

3.根据权利要求2所述的用于制造二氧化硅层的方法，其特征在于，所述用于形成二氧化硅层的组合物是利用旋涂方法涂布。

4.一种二氧化硅层，其特征在于，利用根据权利要求2所述的用于制造二氧化硅层的方法制造。

5.一种电子装置，其特征在于，包括根据权利要求4所述的二氧化硅层。