[发明专利]超大面积扫描式反应离子刻蚀机及刻蚀方法

权利要求书

1.一种大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述大面积是指样品刻蚀面积至少可达500mm×500mm，包括：

进样室(101)，用于进样、取样以及刻蚀过程的缓冲；

刻蚀反应室(102)，设置于所述进样室的下游，用于刻蚀样品的反应腔体；

过渡室(103)，设置于所述刻蚀反应室的下游，用于刻蚀过程的缓冲；

刻蚀离子产生室(104)，与所述刻蚀反应室连通，用于产生刻蚀离子，并且将刻蚀离子引导至所述刻蚀反应室(102)，

其中，所述刻蚀反应室(102)与所述进样室(101)和所述过渡室(103)由狭小通道(1051，1052 )连接；

其中样品(100)放置于移动式样品架(111)上，所述样品架(111)在所述进样室(101)、所述刻蚀反应室(102)和所述过渡室(103)之间沿扫描方向移动，在所述刻蚀反应室(102)中利用所述刻蚀离子对所述样品进行刻蚀，

其中沿与所述扫描方向垂直的水平方向，所述狭小通道的尺寸配置为允许所述样品通过但是远小于所述反应室与所述扫描方向垂直的水平方向的尺寸，并且所述狭小通道的沿垂直于扫描方向的尺寸远小于沿扫描方向的尺寸，使得所述狭小通道内不足以满足辉光放电要求。

2.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述刻蚀离子产生室(104)设置在所述反应室(102)上方，用于将刻蚀离子产生室(104)中产生的刻蚀离子或等离子体引出至所述刻蚀反应室(102)。

3.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述刻蚀离子产生室(104)是放电室，用于辉光放电以产生刻蚀用反应离子。

4.根据权利要求3所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述放电室(104)的上盖板设置有进气孔(1081)，通过所述进气孔与供气装置(1082)相连，所述放电室(104)的下部通过带有气孔的引出栅(109)连接至所述刻蚀反应室(102)。

5.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述刻蚀离子产生室(104)是电感耦合等离子体产生室，用于产生刻蚀用电感耦合等离子体。

6.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述样品架(111)作匀速直线往返运动。

7.根据权利要求6所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述样品架(111)沿扫描方向匀速直线运动的速度可调。

8.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述刻蚀反应室(102)与所述进样室(101)和所述过渡室(103)之间分别设置有真空锁(1061,1062)。

9.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述刻蚀离子产生室(104)和所述刻蚀反应室(102)还与真空装置(1083)相连，用于实现和维持所述刻蚀离子产生室(104)和所述刻蚀反应室(102)中的真空状态。

10.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述狭小通道的尺寸配置为允许所述样品通过，但所述狭小通道的顶部与所述样品的表面之间的垂直距离小于所述反应室垂直方向的尺寸的1/10。

11.根据权利要求10所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中所述大面积扫描式反应离子刻蚀机的反应室的内部高度为100mm，并且狭小通道在垂直于样品表面方向的高度小于10mm。

12.根据权利要求1所述的大面积扫描式反应离子刻蚀机，其中沿与所述扫描方向垂直的方向，所述进样室(101)和/或所述过渡室(103)的尺寸大于等于所述狭小通道(1051，1052)的尺寸。