[发明专利]线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置

说明书

本发明提供一种线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置，线切割后清洗晶圆的方法包括以下步骤：将晶圆置于移动结构上以带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜；向所述晶圆上喷洒清洗液。根据本发明的线切割后清洗晶圆的方法，将晶圆置于移动结构上以带动晶圆在上下方向上移动并倾斜，向晶圆上喷洒清洗液对晶圆进行清洗，通过上述方法能够有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物，减小污染物对晶圆的影响，避免污染物影响晶圆的后续工序，提高清洗效率，减少清洗时间，降低成本。通过清洗装置能够实现上述清洗晶圆的方法，有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物。

技术领域

本发明涉及晶圆技术领域，特别涉及一种线切割后清洗晶圆的方法和清洗装置。

背景技术

一般而言，线切割结束的晶圆为尚粘附于梁的形态，且对线切割时粘附在晶圆上的研磨液和切屑实施清洗，如清洗不干净，会影响晶圆的后续工序和晶圆的质量。此时，晶圆与晶圆之间以及梁附近的污染物等难以用当前的清洗方法去除，或为此增加清洗工程的时间，或依赖于所使用的化学品的清洗性，或提高超声波清洗槽中的功率，在这种情况下，整体清洗时间增加，不但减少整体生产量，还会导致制造成本上升。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种线切割后清洗晶圆的方法。

本发明还提供一种清洗装置，通过清洗装置能够实现上述清洗晶圆的方法，能够有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物，减小污染物对晶圆的影响。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的线切割后清洗晶圆的方法，包括以下步骤：

步骤S1，将晶圆置于移动结构上以带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜；

步骤S2，向所述晶圆上喷洒清洗液。

进一步地，在步骤S1中，所述晶圆与水平面形成的倾斜角度为30-50度。

进一步地，在步骤S2中，喷洒出的所述清洗液呈空气帘状。

进一步地，在步骤S2中，所述清洗液在水平方向移动喷洒。

进一步地，喷洒出的所述清洗液在左右方向上移动距离为10-20mm。

根据本发明第二方面实施例的清洗装置，用于上述线切割后清洗晶圆的方法，所述清洗装置包括：

移动结构，用于承载所述晶圆且带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜；

喷嘴，用于向所述晶圆上喷洒清洗液；

控制器，用于控制所述移动结构带动所述晶圆在上下方向上移动并倾斜，控制所述喷嘴向所述晶圆上喷洒清洗液。

进一步地，所述控制器用于控制所述移动结构带动所述晶圆倾斜时所述晶圆与水平面形成的倾斜角度为30-50度。

进一步地，所述喷嘴喷洒出的清洗液呈空气帘状。

进一步地，所述控制器用于控制所述喷嘴在水平方向移动喷洒。

进一步地，所述控制器用于控制所述喷嘴在左右方向上移动距离为10-20mm。

本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：

根据本发明的线切割后清洗晶圆的方法，将晶圆置于移动结构上以带动晶圆在上下方向上移动并倾斜，向晶圆上喷洒清洗液对晶圆进行清洗，通过上述方法能够有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物，减小污染物对晶圆的影响，避免污染物影响晶圆的后续工序，提高清洗效率，减少清洗时间，降低成本。通过清洗装置能够实现上述清洗晶圆的方法，有效清洗晶圆与晶圆之间的污染物。

附图说明

图1为现有技术中清洗晶圆时的示意图；