[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案

说明书

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其包含第一磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案，设于基底上，第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及第一金属内连线图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第一金属内连线图案以及该第二MTJ图案交错排列。

技术领域

本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器的布局图案。

背景技术

已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。

发明内容

本发明一实施例公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中，包含第一磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案设于基底上，第二MTJ图案设于该第一MTJ图案旁以及第一金属内连线图案设于该第一MTJ图案以及该第二MTJ图案之间，其中该第一MTJ图案、该第一金属内连线图案以及该第二MTJ图案交错排列。

本发明又一实施例公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其中，包含第一金属内连线图案设于一基底上，其中该第一金属内连线图案包含一第一L形；以及磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)图案设于该第一金属内连线图案旁，其中该MTJ图案包含二第一L形。

附图说明

图1为本发明一实施例的一MRAM元件的结构示意图；

图2为现行MRAM单元中MTJ与金属内连线的布局图案示意图；

图3为本发明一实施例MRAM单元中MTJ与金属内连线的布局图案示意图；

图4为本发明一实施例MRAM单元中MTJ与金属内连线的布局图案示意图。

主要元件符号说明

12     基底                    14    阵列区域

18     MRAM区域                20    逻辑区域

50     金属内连线              52    层间介电层

54     金属内连线             56    金属内连线结构

58     MTJ                    60    金属内连线

62     遮盖层                 64    金属间介电层

66     金属内连线结构         68    停止层