[发明专利]一种PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜及其制备方法、目标基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201811611003.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109448890B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 茅丹;张娟娟;张洪涛;谭化兵 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C08J7/04;C08L67/02;C08L79/08 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pedot pss 掺杂 石墨 导电 薄膜 及其 制备 方法 目标 基底 | ||
1.一种石墨烯转移的目标基底的制备方法，其特征在于，在基膜表面涂覆PEDOT-PSS水性复配导电油墨，烘烤，得到PEDOT-PSS/基膜，即目标基底；
所述PEDOT-PSS水性复配导电油墨中PEDOT-PSS为1.0-1.5wt％；
所述PEDOT-PSS中，PSS与PEDOT的重量比为2.5：1。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烘烤的温度为100-150℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烘烤的时间为20min-1h。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述涂覆方式为涂布或丝网印刷。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述PEDOT-PSS水性复配导电油墨的厚度为1-50μm。
6.一种PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，采用如权利要求1所述方法制备得到的目标基底，包括：
对转移膜/石墨烯/金属基底进行刻蚀除去金属基底，得到转移膜/石墨烯；
将转移膜/石墨烯和所述目标基底贴合在一起，得到转移膜/石墨烯/PEDOT-PSS/基膜，再撕除转移膜，得到石墨烯/PEDOT-PSS/基膜。
7.根据权利要求6所述的PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述刻蚀为使用化学刻蚀液刻蚀。
8.根据权利要求7所述的PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液为含有强氧化剂的酸性刻蚀液。
9.根据权利要求7所述的PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液为过硫酸铵水溶液，所述刻蚀液的浓度为120-180g/L。
10.根据权利要求6所述的PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述将转移膜/石墨烯和所述目标基底贴合在一起的方法为，将石墨烯与目标基底的PEDOT-PSS薄膜贴合，辊压；所述贴合使用网版贴合机进行贴合；所述辊压使用覆膜辊压机辊压一遍；所述辊压的温度为120-180℃。
11.一种权利要求6所述方法制备的PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜，其特征在于，所述PEDOT-PSS掺杂石墨烯导电薄膜包括基膜、掺杂剂层和石墨烯层，所述掺杂剂层设置于基膜和石墨烯层之间，其中，所述掺杂剂为PEDOT-PSS；
所述石墨烯为CVD法制备的石墨烯；所述石墨烯层为单层或多层石墨烯；
所述掺杂剂层的电阻为150-250Ω；
所述基膜为PET膜、PEN膜或PI膜；
所述基膜的厚度为25-125μm。
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