[发明专利]一种石墨烯-ZnO复合材料及其制备方法和紫外探测器有效
申请号: | 201811611051.2 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109713050B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 张昭宇;项国洪;钟可怡;方铉;袁牧锋 | 申请(专利权)人: | 香港中文大学(深圳) |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/028;H01L31/0296;H01L31/101 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 逯恒 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 zno 复合材料 及其 制备 方法 紫外 探测器 | ||
1.一种用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将衬底放入射频等离子体增强化学气相沉积设备的反应室内具有电阻加热能力的样品台上,先通入氩气,保持反应室内的气体压强为1Torr,以20~25℃/min的升温速率将衬底升温至600~1100℃;然后将甲烷与氢气通入反应室内,当反应室内的气体压强为10Torr时,将频射功率设定为800~1000W,沉积10~80min后,在衬底上得到垂直的石墨烯薄片,所述衬底采用泡沫镍;
(2)配制由锌源和表面活性剂组成的先驱体溶液,然后将所述先驱体溶液转入三电极体系中,其中,以在衬底上得到的垂直的石墨烯薄片为工作电极,以箔片作为辅助电极,以Ag/AgCl作为参比电极,通过设定沉积温度为80~100℃,沉积时间为1~1.5h,沉积电位为-1.0~-0.8V,在所述垂直的石墨烯薄片间横向生长ZnO纳米线;最后将得到的产物用去离子水进行冲洗、干燥。
2.根据权利要求1所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法,其特征在于:在步骤(1)之前还包括:采用氧等离子体清洗射频等离子体增强化学气相沉积设备的反应室;所述清洗过程中:样品台温度为700~800℃,氧等离子体功率为800~1000W;所述清洗时间为80~100min。
3.根据权利要求1所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法,其特征在于:在步骤(1)之前还包括:将衬底浸于异丙醇或丙酮溶液中超声清洗,然后用去离子水冲洗,再用氮气干燥。
4.根据权利要求1所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述甲烷的流量为1~30sccm;所述氢气的流量为20sccm。
5.根据权利要求1所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,沉积结束后,使反应室在氩气气氛下冷却至室温,再将反应室放空取出生长有垂直的石墨烯薄片的衬底。
6.根据权利要求1所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述锌源为硝酸锌溶液或醋酸锌,所述表面活性剂为六次甲基四胺;所述锌源与所述表面活性剂的物质的量的比为1:1。
7.一种用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料,其特征在于:由权利要求1~6任一项所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料的制备方法制备得到。
8.一种紫外探测器,其特征在于:包括光敏层,所述光敏层采用权利要求7所述的用于紫外探测器的石墨烯-ZnO复合材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的