[发明专利]二次电池负极用组合物、二次电池用负极及二次电极

权利要求书

1.一种二次电池负极用组合物，包含：

碳材料；以及

硅氧化物结构体，且

所述硅氧化物结构体是包含原子组成中含有Si和O的硅氧化物骨架、及化学键结于所述硅氧化物骨架的硅系纳米粒子作为构成要素而成，

所述硅氧化物结构体是相对于所述碳材料与所述硅氧化物结构体的合计而含有15质量％以上的比例，

所述硅氧化物结构体满足以下条件i～条件iii：

条件i，具有通式SiO_x2H_y2所表示的原子组成，其中0.3＜x2＜1.5、0.01＜y2＜0.35；

条件ii，具有Si-H键；以及

条件iii，本质上不包含碳。

2.根据权利要求1所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅氧化物结构体是相对于所述碳材料与所述硅氧化物结构体的合计而含有18质量％～90质量％的比例。

3.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅氧化物结构体是相对于所述碳材料与所述硅氧化物结构体的合计而含有18质量％～85质量％的比例。

4.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅氧化物结构体包含所述硅系纳米粒子作为一次粒子聚集而成的二次聚集体。

5.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅氧化物结构体进而满足以下条件iv：

条件iv，在利用红外分光法所测定的光谱中，处于820cm^-1～920cm^-1间的源于Si-H键的峰值1的强度I₁与处于1000cm^-1～1200cm^-1间的源于Si-O-Si键的峰值2的强度I₂之比，即I₁/I₂处于0.01至0.35的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅氧化物结构体进而满足以下条件v：

条件v，在利用红外分光法所测定的光谱中，在源于Si-O-Si键的峰值中，最靠近1170cm^-1的峰值2-1的强度I_2-1与最靠近1070cm^-1的峰值2-2的强度I_2-2之比，即I_2-1/I_2-2超过1。

7.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅系纳米粒子的至少一部分经由Si-O-Si键而键结于所述硅氧化物骨架。

8.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其进而包含含有选自钛、锌、锆、铝、及铁中的至少一种作为构成元素的金属氧化物，且所述硅氧化物结构体由所述金属氧化物被覆或者与所述金属氧化物复合化。

9.根据权利要求8所述的二次电池负极用组合物，其中，所述金属氧化物包含钛作为构成元素。

10.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述硅系纳米粒子的体积基准平均粒径为100nm～500nm。

11.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，相对于所述硅氧化物结构体的总质量，包含5质量％～65质量％的所述硅系纳米粒子。

12.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述碳材料是包含大致球状的粒子、且体积基准平均粒径为1μm～100μm的粉体。

13.根据权利要求1或2所述的二次电池负极用组合物，其中，所述碳材料为石墨。