[发明专利]一种能提高控温精度的基片安装台及等离子体处理设备

权利要求书

1.一种能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，该基片安装台包含依次设置的导电基座、热隔离层、加热层、控温层，和静电吸盘层；

该控温层内设置一空腔，所述空腔内填充有金属相变材料，在等离子处理过程中，金属相变材料融化并在具有不同温度的区域之间流动，所述导电基座中还设有冷却系统。

2.如权利要求1所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的控温层还包含底盘及表层，该底盘与表层之间形成密闭的空腔，金属相变材料层位于所述空腔中。

3.如权利要求2所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的底盘设置有沟槽，以与表层构成密闭的空腔。

4.如权利要求3所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的沟槽连续、均匀间隔布置在底盘上。

5.如权利要求4所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的沟槽为以底盘圆心及底盘边缘为端部的连续圆环形沟道。

6.如权利要求2所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的控温层中的底盘及表层分别由金属或者陶瓷材料制成。

7.如权利要求1所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的金属相变材料的金属成分选择使得所述金属相变材料的相变温度点在40-100℃之间。

8.如权利要求1所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的金属相变材料选择汞、钠、钾、钙、锂、镓、铟、铋、锡、铅及锑中任意一种或多种金属构成的合金。

9.如权利要求1所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的加热层中包括多个独立可控的发热元件，在加热层平面上分区域独立控制空间温度分布。

10.如权利要求1所述的能提高控温精度的基片安装台，其特征在于，所述的静电吸盘层包含电极层及位于电极层上下的绝缘材料层。

11.一种等离子体处理设备，其包含反应腔，其特征在于，该反应腔内设置有如权利要求1-10中任意一项所述的用于支撑基片的基片安装台。

12.如权利要求11所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子处理设备在进行等离子处理时，基片被吸附在所述静电吸盘层上，点燃等离子体对基片进行处理，所述位于控温层内的金属相变材料吸热并融化为液体；完成等离子处理后，熄灭等离子体，移除基片，所述金属相变材料放热以维持所述控温层的温度。