[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，其中，

具备：

半导体基板，所述半导体基板具有排列有多个像素的像素区域和与所述像素区域相邻的周边区域；

绝缘层，所述绝缘层覆盖所述半导体基板的所述像素区域和所述周边区域；

第一电极，所述第一电极在所述像素区域中位于所述绝缘层上；

光电转换层，所述光电转换层覆盖所述第一电极；

第二电极，所述第二电极覆盖所述光电转换层；以及

第一层，所述第一层覆盖所述第二电极，在所述像素区域及所述周边区域中位于所述绝缘层上或所述第二电极上，

所述周边区域中的所述第一层的厚度大于所述像素区域中的所述第一层的厚度，

所述周边区域中的所述第一层的上表面位于比所述像素区域中的所述第一层的上表面靠上方的位置。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，在所述周边区域且俯视时不与所述光电转换层重叠的区域中的所述第一层的厚度大于所述像素区域中的所述第一层的厚度。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述多个像素是用于检测入射光的强度的像素。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，还具备检测电路，所述检测电路与所述第一电极电连接，检测来自所述第一电极的信号。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，还具备放大晶体管，所述放大晶体管具有与所述第一电极电连接的栅极。

6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

还具备微透镜，所述微透镜在所述像素区域中位于所述第二电极的上方，

所述周边区域中的第一层的上表面位于比所述微透镜的上表面靠上方的位置。

7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述周边区域中的所述第一层的上表面位于比所述像素区域中的所述多个像素的上表面靠上方的位置。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的摄像装置，其中，所述第一层包含：

第二层，所述第二层覆盖所述像素区域及所述周边区域；以及

第三层，所述第三层位于所述第二层上，仅覆盖所述周边区域。

9.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第二层包含多个层。

10.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第二层包含构成滤色器的层。

11.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第二层包含构成微透镜的层。

12.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第三层包含多个层。

13.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述光电转换层延伸配置于所述周边区域，

所述第三层在俯视时与所述光电转换层重叠。

14.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第三层的厚度大于所述光电转换层的厚度。

15.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，还具备微透镜，该微透镜在所述像素区域中位于所述第二电极的上方，

所述第三层的厚度大于所述微透镜的厚度。

16.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第三层在波长400nm以上600nm以下的区域中的光的透射率为20％以下。

17.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述第三层的厚度为3μm以上20μm以下。