[发明专利]具有高阻断电压与高电压冲击耐受力的GCT芯片

权利要求书

1.一种具备高阻断电压与高电压冲击耐受能力的门极换流晶闸管芯片，从阴极到阳极依次设有：n⁺发射极或阴极发射极、p基区、n基区、n⁺缓冲层、p⁺发射极或阳极发射极，p基区表面上设有门极，其特征在于，所述芯片具有以下中的一种或多种：

短路阳极结构、P基区表面局部制作的p⁺区域、或少数载流子寿命为10us以内的芯片。

2.根据权利要求1所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述短路阳极结构包括阳极、p⁺发射极或阳极发射极及所述p⁺发射极中制造的一或多个n⁺短路点。

3.根据权利要求2所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述n⁺短路点呈指状或点状分布在所述阳极上。

4.根据权利要求2所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述n⁺短路点的总面积与阳极总面积的占比根据具体的应用状况进行调整，所述占比取值范围为5％-80％。

5.根据权利要求2所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述n⁺短路点与n⁺缓冲层区域或n基区接触。

6.根据权利要求1所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述P基区表面局部制作的p⁺区域位于门极之下。

7.根据权利要求1所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述P基区表面局部制作的p⁺区域宽于门极电极的长度，但不触及阴极发射区。

8.根据权利要求1所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述P基区表面局部制作的p⁺区域的厚度为1um内。

9.根据权利要求1所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述P基区表面局部制作的p⁺区域的典型掺杂浓度为峰值处浓度>1e18/cm^-3。

10.根据权利要求1所述的门极换流晶闸管芯片，其特征在于，所述少数载流子寿命为10us以内的芯片中，整个芯片的少数载流子寿命均为10us以内。