[发明专利]基座以及蒸镀设备

说明书

本发明是关于一种基座以及蒸镀设备。该基座包括：基座本体，用于承载待蒸镀基板，所述待蒸镀基板的表面覆有背电极层；汇流部，沿垂直于基板传动方向分布在所述基座本体的两侧，并与所述基座本体绝缘连接，在执行蒸镀工艺时所述背电极层与所述汇流部相接触；导电部，与所述汇流部电连接并连接至外部电源，用于在通电时向所述汇流部提供电压。该技术方案可使待蒸镀基板的上下表面达到几乎相同的温度，从而避免基板镀膜面温度不足的问题以及由基板上下表面的温差而造成的变形问题，而且还能促进薄膜生成速度并改善成膜质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基座以及蒸镀设备。

背景技术

随着能源危机的日益严峻，关于太阳能的开发应用显得十分重要。其中，铜铟镓硒(CuInGaSe，CIGS)薄膜太阳能电池以其光电转化效率高、稳定性好、制造成本低、以及可柔性化等优点而受到了广泛的关注。

CIGS薄膜太阳能电池的吸收层可采用共蒸发技术进行制备，其中需要在共蒸发工艺腔室中采用高温真空辐射烘烤的方式进行加热处理，以便达到共蒸发工艺的温度要求。鉴于加热均匀性的考虑，只能在玻璃平面的单侧进行加热，另一侧受到蒸镀方式的限制，无法大面积的安装加热装置，如此便会造成玻璃的上下表面存在超过10℃的温差。由于CIGS的工艺温度高于500℃，此时已经开始出现玻璃软化现象，若单纯的为使镀膜面的温度达标而提高主加热器的功率，就会导致玻璃上层的软化现象严重，从而造成玻璃变形下垂，影响后续工艺。相关技术中还可在底部增加辅助加热器，以使作为镀膜面的下表面温度有所提升，但辅助加热器的均匀性受限于蒸镀空间的需要，仍然无法均匀高效的改善玻璃上下面温差的现象。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本发明实施例提供了一种基座以及蒸镀设备。该技术方案如下：

根据本发明实施例的第一方面，提供一种基座，应用于蒸镀设备，包括：

基座本体，用于承载待蒸镀基板，所述待蒸镀基板的表面覆有背电极层；

汇流部，沿垂直于基板传动方向分布在所述基座本体的两侧，并与所述基座本体绝缘连接，在执行蒸镀工艺时所述背电极层与所述汇流部相接触；

导电部，与所述汇流部电连接并连接至外部电源，用于在通电时向所述汇流部提供电压。

在一个实施例中，所述汇流部为汇流条，所述汇流条固定在所述基座本体的承载面。

在一个实施例中，所述导电部包括导电槽和连接柱，所述导电槽平行于所述汇流条并连接至外部电源，所述连接柱用于将所述导电槽和所述汇流条电连接；

其中，沿所述待蒸镀基板所在平面的垂直方向，所述导电槽位于所述待蒸镀基板背离所述基座本体的一侧，所述导电槽在所述基座本体所在平面的投影轮廓位于所述汇流条在所述基座本体所在平面的投影轮廓的外侧。

在一个实施例中，所述基座还包括绝缘部，所述绝缘部位于所述基座本体的承载面，用于使所述基座本体与所述待蒸镀基板相互绝缘，所述绝缘部背离所述基座本体的表面与所述汇流部背离所述基座本体的表面齐平。

在一个实施例中，所述绝缘部为绝缘条，所述绝缘条与所述汇流部相互垂直。

在一个实施例中，所述绝缘条包括沿基板传动方向分布在所述基座本体两侧的第一绝缘条和第二绝缘条，以及位于所述基座本体中间的第三绝缘条。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种蒸镀设备，包括蒸镀腔室以及上述的基座。

在一个实施例中，所述蒸镀设备还包括导电组件，所述导电组件与外部电源相连接，用于向所述基座中的导电部提供电压。

在一个实施例中，所述导电组件包括导电滚刷，所述导电滚刷与所述导电部相接触；或者，