[发明专利]波长转换装置及其制备方法和发光装置

权利要求书

1.一种波长转换装置，其特征在于，包括：

依次层叠设置的基板、金属反射层、纳米二氧化硅低折射率层、荧光陶瓷层及纳米二氧化硅增透层；

所述纳米二氧化硅低折射率层和所述纳米二氧化硅增透层的折射率在1.30～1.43之间。

2.如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述纳米二氧化硅低折射率层和所述纳米二氧化硅增透层基本由纳米二氧化硅粒子组成；

所述纳米二氧化硅粒子至少有一维的尺寸处于1纳米～100纳米的范围。

3.如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述金属反射层为银层。

4.如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述基板和所述金属反射层之间还设置有用于保护所述金属反射层的金属保护层。

5.如权利要求4所述的波长转换装置，其特征在于，所述金属保护层和所述基板之间还设置有用于粘结所述金属保护层和所述基板的粘结层。

6.一种发光装置，其特征在于，包括用于产生激发光的光源以及如权利要求1至5中任一项所述的波长转换装置，所述波长转换装置位于所述激发光的光路上以将所述激发光转换为受激光。

7.一种波长转换装置的制备方法，其包括如下步骤：

步骤S1：提供荧光陶瓷层；

步骤S2：采用溶胶-凝胶方法，于所述荧光陶瓷层的相对两表面形成纳米二氧化硅低折射率层和纳米二氧化硅增透层；

步骤S3：于所述纳米二氧化硅低折射率层远离所述荧光陶瓷层的表面形成金属反射层；

步骤S4：提供基板，使所述基板与所述金属反射层、所述纳米二氧化硅低折射率层、所述荧光陶瓷层及所述纳米二氧化硅增透层为依次层叠设置。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中包括采用正硅酸乙酯作为前驱体水解制备纳米二氧化硅溶胶的步骤。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用正硅酸乙酯作为前驱体水解制备纳米二氧化硅溶胶的步骤具体包括采用正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、乙醇及硅烷偶联剂混合后，在60℃温度条件下，回流搅拌3小时，再陈化处理8小时至12小时，得到纳米二氧化硅溶胶。

10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中包括采用正硅酸乙酯和纳米气相二氧化硅共同作为前驱体水解制备纳米二氧化硅溶胶的步骤。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，采用正硅酸乙酯和纳米气相二氧化硅共同作为前驱体水解制备纳米二氧化硅溶胶的步骤具体包括采用正硅酸乙酯、纳米气相二氧化硅、去离子水、盐酸、乙醇及硅烷偶联剂混合后，在60℃温度条件下，回流搅拌3小时，再陈化处理8小时至12小时，得到纳米二氧化硅溶胶。