[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201811615152.7 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN110034217B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 金贤珠;朴炯兆;金桓教 | 申请(专利权)人: | 苏州立琻半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24 |
代理公司: | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人: | 滕锦林 |
地址: | 215499 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
示例性实施例提供了一种半导体器件,包括:半导体结构,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层,其中半导体结构具有穿过第一导电型半导体层的第一部分、第二导电型半导体层以及有源层的第一凹部;以及穿过第一导电型半导体层的第二部分、第二导电型半导体层以及有源层的多个第二凹部,其中第一凹部沿半导体结构的外表面设置,其中多个第二凹部被第一凹部围绕。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月27日提交的第2017-0181407号韩国专利申请和2018年05月16日提交的第2018-0056203号韩国专利申请的优先权和权益,其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
示例性实施例涉及半导体器件。
背景技术
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件由于其许多优点(诸如宽且易于调节的带隙能量)可以分别用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
特别是,借助于薄膜生长技术和器件材料的发展,使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光器件(例如发光二极管和激光二极管)能够呈现各种颜色(例如红色、绿色、蓝色和紫外线),能够使用荧光材料或通过颜色混合高效地产生白光,并且与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比,具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环保的优点。
此外,当使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时,由于元件材料的发展,光接收器件通过吸收各种波长区域的光产生光电流,使得可以使用从伽马射线区域到无线电波长区域的各种波长区域的光。此外,由于光接收器件具有响应速度快、安全、环保且元件材料易于控制的优点,所以光接收器件还可以容易地用于功率控制、微波电路或通信模块
因此,已经扩展了半导体器件的应用,使半导体器件应用为光通信设备的传输模块;发光二极管(LED)背光,其能够代替构成液晶显示(LCD)设备的背光的冷阴极荧光灯(CCFL);白光LED照明设备,其能够代替荧光灯或白炽灯;车辆的前照灯;交通灯;用于感应气体或火灾的传感器;等等。此外,半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路,其他功率控制设备和通信模块。
特别地,由于固化作用(curing action)和杀菌作用,配置成发射紫外(UV)波长区域的光的发光器件可用于固化、医疗和杀菌应用。
最近,已经积极地进行了关于UV发光器件的研究。然而,存在的问题是竖直型UV发光器件难以实现,并且由于剥落和水分引起的氧化导致光输出降低。
发明内容
示例性实施例提供了一种竖直型半导体器件和一种倒装芯片型半导体器件。
此外,提供了一种具有优异光提取效率的半导体器件。
此外,提供了一种具有优异的电流扩散效果的半导体器件。
在示例性实施例中要解决的问题不限于此,并且尽管没有明确提及,但是也可以包括可以从下文描述的技术方案或示例性实施例中识别的目的和效果。
根据示例性实施例的一种半导体器件包括:半导体结构,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层,其中半导体结构具有穿过第二导电型半导体层和有源层并设置在第一导电型半导体层的部分区域中的第一凹部,其中第一凹部是沿半导体结构的外表面设置,并具有第一导电型半导体层的第一底表面、相对于第一导电型半导体层的第一底表面向内设置的有源层的第一侧表面和第二导电型半导体层的第二侧表面。第一导电型半导体层的第一底表面、有源层的第一侧表面和第二导电型半导体层的第二侧表面暴露在第一凹部中。
第一凹部还可具有设置在第一底表面和第一侧表面之间的第三侧表面。
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