[发明专利]抑制充电效应的THGEM基材及其制备和检测方法

权利要求书

1.一种抑制充电效应的THGEM基材，包括：

PCB基材层；

铜电极层，位于所述PCB基材层的上下表面；

通孔，在该基材上呈六角密排分布，且对多个所述通孔的上下边缘的铜电极层进行腐蚀，裸露出所述PCB基材层；以及

DLC薄膜，其形成于所述PCB基材层裸露部分的表面；

所述PCB基材层上下表面的所述铜电极层间的电阻值介于20GΩ至900GΩ之间

所述DLC薄膜的厚度介于0.5μm至1μm之间。

2.一种抑制充电效应的THGEM基材的制备方法，使用磁控溅射沉积设备，包括：

步骤A：固定基底样品；

步骤B：对磁控溅射设备的真空腔室抽真空；

步骤C：在所述基底样品的正反两面沉积制备DLC薄膜；

所述基底样品包括：

PCB基材层；

铜电极层，位于所述PCB基材层的上下表面；以及

通孔，在该基材上呈六角密排分布，且对多个所述通孔的上下边缘的铜电极层进行腐蚀，裸露出所述PCB基材层。

3.根据权利要求2所述的抑制充电效应的THGEM基材的制备方法，在固定基底样品前，还包括：

步骤1：对所述基底样品进行预处理使其清洁干燥；

步骤2：对磁控溅射设备的高纯石墨靶材表面溅射清洗。

4.根据权利要求2所述的抑制充电效应的THGEM基材的制备方法，所述步骤A包括：

步骤A1：将所述基底样品使用鳄鱼夹固定在支架上；

步骤A2：将整个支架装到所述真空腔室内部的旋转轴上；

步骤A3：调整所述基底样品的位置，使其高度位于高纯石墨靶材的中部，所述高纯石墨靶材与所述基底样品的间距介于12cm至18cm之间。

5.根据权利要求2所述的抑制充电效应的THGEM基材的制备方法，所述步骤C中，在沉积过程中向真空腔室内掺入异丁烷气体，通过调整沉积时间和异丁烷气体流量来实现控制DLC薄膜的厚度和面电阻值率。

6.根据权利要求2所述的抑制充电效应的THGEM基材的制备方法，所述步骤B中，在沉积过程中，保持真空腔室内的气压不高于7.4×10^-4Torr。

7.一种抑制充电效应的THGEM基材的检测方法，用于检测通过如上述权利要求2至6中任一项所述的抑制充电效应的THGEM基材的制备方法制备的如上述权利要求1所述的抑制充电效应的THGEM基材，包括：使用MeggerMIT485高阻表测量所述抑制充电效应的THGEM基材上下表面的所述铜电极层在施加1000V电压时的电阻值。