[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和石墨烯扩展条，所述石墨烯扩展条设置在所述衬底的第一表面的部分区域上，所述N型半导体层铺设在所述石墨烯扩展条和所述第一表面未设置所述石墨烯扩展条的区域上，所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述N型半导体层上，所述P型半导体层上设有延伸至所述石墨烯扩展条的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的石墨烯扩展条上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述石墨烯扩展条的厚度为1nm～500nm。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电极包括焊盘部分，所述石墨烯扩展条从所述N型电极向所述焊盘部分延伸。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述石墨烯扩展条位于所述发光二极管芯片的对称面上。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电极还包括两个分别与所述焊盘部分连接的手指部分，每个所述手指部分从所述焊盘部分向所述N型电极延伸，两个所述手指部分在所述第一表面上的投影分别位于所述石墨烯扩展条在所述第一表面上的投影的两侧。

6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，两个所述手指部分与所述石墨烯扩展条平行。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，两个所述手指部分与所述石墨烯扩展条之间的距离相等。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述手指部分与所述石墨烯扩展条之间的距离为所述石墨烯扩展条与所述发光二极管芯片的边缘之间的距离的1/10～10/11。

9.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述石墨烯扩展条在垂直于所述石墨烯扩展条的延伸方向上的长度为5μm～50μm。

10.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底的第一表面的部分区域上设置石墨烯扩展条；

在所述石墨烯扩展条和所述第一表面未设置所述石墨烯扩展条的区域上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述P型半导体层上开设延伸至所述石墨烯扩展条的凹槽；

在所述凹槽内的石墨烯扩展条上设置N型电极，在所述P型半导体层上设置P型电极。