[发明专利]一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺在审
| 申请号： | 201811619077.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109821810A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 丁云海;张京伟;余胜军;卢东阳 | 申请（专利权）人： | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石衬底晶片 清洗 蓝宝石 清洗工艺 衬底片 抛光液 清洗剂 表面清洗 晶片背面 晶片表面 晶片加工 清洗能力 清洗效果 生产效率 数量控制 同一位置 行业要求 一次清洗 超声波 清洗液 抛光 氧化铝 晶片 脏污 制作 生产 | ||
1.一种蓝宝石衬底片成品清洗工艺，其特征在于，步骤如下：
(1)将氧化铝抛光后的蓝宝石衬底晶片浸泡于体积浓度比为10％-25％、加热至60℃-85℃的环保去蜡液中，超声清洗20-30分钟，并同时上下抛动；
(2)在室温下，将步骤(1)处理后的蓝宝石衬底晶片去离子水中，超声漂洗5-10分钟；
(3)将步骤(2)处理后的蓝宝石衬底晶片浸泡于体积浓度比为15％-20％、加热至60℃-80℃水基环保清洗剂中，超声清洗20-30分钟，并同时上下抛动；
(4)在室温下，将步骤(3)处理后的蓝宝石衬底晶片浸泡于去离子中，超声清洗5-15分钟，并同时上下抛动；
(5)在室温下，将步骤(4)处理后的蓝宝石衬底晶片进行QDR清洗后，送至酸洗工序；
(6)将步骤(5)处理后的蓝宝石衬底晶片浸泡于温度为120℃，体积比为硫酸：双氧水：去离子水＝5:1:1的酸液中，硫酸的体积百分比浓度为85％，上下抛动清洗15-20分钟；
(7)在室温下，将步骤(6)处理后的蓝宝石衬底晶片QDR清洗后送至刷洗工序；
(8)使用单面刷洗机台进行蓝宝石衬底晶片刷洗，完成蓝宝石衬底片的清洗。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底片成品清洗工艺，其特征在于，所有涉及去离子水的清洗步骤中，均采用超纯水电阻率≥15MΩ·CM的去离子水。
3.根据权利要求1或2所述的蓝宝石衬底片成品清洗工艺，其特征在于，所有涉及抛动的清洗步骤中，均采用抛动频率为10-30次/分钟。
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