[发明专利]异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法有效
申请号: | 201811619146.9 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111383914B | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 欧欣;黄凯;李文琴;赵晓蒙;鄢有泉;李忠旭;王曦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/324;H01L21/302 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 宋缨 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质键合 结构 曲度 调节 方法 处理 | ||
1.一种基于热应力补偿的异质键合结构翘曲度的调节方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)提供第一衬底及第二衬底,所述第一衬底具有第一键合面,所述第二衬底具有第二键合面,并将所述第一键合面与所述第二键合面进行键合处理,以于所述键合处理后的键合结构中产生第一热应力,所述键合处理的键合温度介于40℃-450℃之间,所述第二衬底的材料选自铌酸锂、钽酸锂中的任意一种;
2)对所述键合结构进行固键退火处理,以产生第二热应力,所述固键退火处理的固键退火温度大于所述键合处理的键合温度,使得所述第二热应力与所述第一热应力反向;
3)将步骤2)得到的结构降温至第一温度,以产生第三热应力,所述第一温度小于所述键合温度且所述第一温度大于等于室温,所述键合处理的键合温度与所述固键退火处理的固键退火温度之间的差值介于所述固键退火温度与所述第一温度之间的差值的1/10-9/10之间,降温至所述第一温度的降温速率与所述第一温度和所述键合处理的键合温度之间的差值呈反比,其中,所述第一热应力、所述第二热应力及所述第三热应力三者中至少两者的方向相反,以实现所述异质键合结构的翘曲度的调节。
2.根据权利要求1所述的基于热应力补偿的异质键合结构翘曲度的调节方法,其特征在于,步骤1)中,所述第一衬底的材料选自于硅、氧化硅、蓝宝石、锗、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓及氮化铝中的任意一种,且所述第一衬底的材料与所述第二衬底的材料不同。
3.根据权利要求1所述的基于热应力补偿的异质键合结构翘曲度的调节方法,其特征在于,步骤3)中,降温至所述第一温度的降温速率低于5℃/min。
4.根据权利要求1所述的基于热应力补偿的异质键合结构翘曲度的调节方法,其特征在于,通过调整所述键合处理的处理过程中的键合温度调整所述第一热应力的大小;通过调整所述固键退火处理的处理过程中的固键退火温度调整所述第二热应力的大小;通过调整降温至所述第一温度的降温速率调整所述第三热应力的大小。
5.一种异质键合结构的后处理方法,其特征在于,包括对异质键合结构进行后处理工艺的步骤,其中,在进行所述后处理工艺之前还包括采用如权利要求1-4中任意一项所述的基于热应力补偿的异质键合结构翘曲度调节方法进行异质键合结构的翘曲度调节的步骤。
6.根据权利要求5所述的异质键合结构的后处理方法,其特征在于,所述后处理工艺包括研磨、减薄、化学机械抛光以及图案化中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造