[发明专利]具有再生长触点的半导体装置和制作方法

说明书

本公开涉及具有再生长触点的半导体装置和制作方法。一种半导体装置的实施例包含：半导体衬底，包含沟道；第一电介质层，安置在半导体衬底上方；以及再生长触点，被形成为穿过第一电介质层中的第一开口。再生长触点包含：再生长区，形成于半导体衬底上方；悬突区，联接到再生长区并且形成于第一电介质层上方、在第一开口附近；以及导电帽盖，形成于再生长区和悬突区上方。一种用于制作半导体装置的方法包含：在半导体衬底上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成第一开口；在第一开口内且在第一电介质层上方形成再生长半导体层；在再生长半导体层上方形成导电帽盖；以及对导电帽盖外部的再生长半导体层进行蚀刻。

技术领域

本文中描述的主题的实施例总体上涉及具有再生长欧姆触点的半导体装置以及用于制作这种装置的方法。

背景技术

半导体装置可应用于各种各样的电子部件和系统中。可用于射频(RF)和高速应用的半导体装置可以包含异质结场效应晶体管(HFET)、金属-绝缘体场效应晶体管(MISFET)、结型场效应晶体管(JFET)以及双极型装置(例如，双极结型晶体管(BJT)和异质结双极型晶体管(HBT))。半导体装置可以由III族氮化物(III-N)半导体形成。半导体装置可以包含如漏极/源极触点、栅极触点、发射极/集电极触点等欧姆触点以及如栅极触点或基极触点等控制电极。因此，需要具有可制造、高性能且可靠的欧姆触点和控制电极(例如，漏极/源极触点、栅极触点、发射极/集电极触点以及基极触点)的半导体装置以及用于制备这种半导体装置的方法。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种半导体装置，其包括：

半导体衬底，其包含上表面和沟道；

第一电介质层，其安置在所述半导体衬底的所述上表面上方；以及

再生长触点，其形成于所述半导体衬底上方和内部，所述再生长触点包括：

第一开口，其形成于所述第一电介质层中；

再生长区，其形成于所述第一开口内并且电联接到所述沟道；

悬突区，其联接到所述再生长区并且形成于所述第一电介质层上方、在所述第一开口附近；以及

导电帽盖，其形成于所述再生长区和所述悬突区上方。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置进一步包括安置在所述半导体衬底与所述第一电介质层之间的第二电介质层，其中，所述再生长区延伸穿过所述第二电介质层中的第二开口。

在一个或多个实施例中，所述第二电介质层被配置为抵抗所述第一电介质层的蚀刻剂的蚀刻停止层。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置进一步包括安置在所述半导体衬底与所述第二电介质层之间的第三电介质层，其中，所述再生长区延伸穿过所述第三电介质层中的第三开口。

在一个或多个实施例中，所述再生长区被配置为一个或多个源极/漏极区。

在一个或多个实施例中，所述半导体装置进一步包括形成于所述半导体衬底上方、在所述源极/漏极区附近和之间的栅电极。

在一个或多个实施例中，所述栅电极延伸穿过第一栅极开口并且与所述半导体衬底形成肖特基接触。

在一个或多个实施例中所述的半导体装置进一步包括安置在所述第一栅极开口内、在所述半导体衬底与所述栅电极的底部部分之间的栅极电介质层。

在一个或多个实施例中，所述导电帽盖不含金。

在一个或多个实施例中，所述再生长触点被配置为形成于所述沟道上方并且电联接到所述沟道的栅电极。

在一个或多个实施例中，所述再生长触点的所述再生长区包括p型掺杂剂并且与所述半导体衬底形成p-n结。