[发明专利]一种半导体传感器高压电路

权利要求书

1.一种半导体传感器高压电路，其特征在于，所述电路包括直流脉冲PMW模块，自举高压电路，倍压电路和电阻分压反馈电路；

所述直流脉冲PMW模块，用于调整输入电源的电压幅值大小和周期占宽比，并产生一个闭环控制的直流脉冲PMW信号输出至自举高压电路；

所述自举高压电路，用于将所述直流脉冲PMW信号调制成自举高压信号输出至倍压电路；

所述倍压电路，用于将自举高压信号放大若干倍后形成高压信号，一路直接输出，另一路输入所述电阻分压反馈电路；

所述电阻分压反馈电路，用于对高压信号进行电阻分压，输出反馈电压给直流脉冲PMW模块。

2.根据权利要求1所述的半导体传感器高压电路，其特征在于，所述自举高压电路包括自举高压电路包括第一电感(L1)、MOSFET晶体管(M1)、第一电容(C1)、第一二极管(D1)、第二晶体管(D2)和第三电容(C3)；

所述第一电感(L1)一端与输入电源相连、另一端连接至第一电容(C1)和MOSFET晶体管(M1)的输出端之间的节点；

所述MOSFET晶体管(M1)的栅极接直流脉冲PMW模块，所述MOSFET晶体管(M1)的源级接地；

所述第一电容(C1)的另一端接第一二极管(D1)的阴极和第二晶体管(D2)的阳极之间的节点；

所述第一二极管(D1)阳极接地；

所述第三电容(C3)一端连接第一二极管(D1)阳极和地之间的节点；另一端接第二晶体管(D2)的阴极；

当直流脉冲PMW信号为高电平时，所述MOSFET晶体管(M1)导通，第一电感(L1)储能，第一电容(C1)通过第一晶体管D1充电；

当直流脉冲PMW信号为低电平时，所述MOSFET晶体管(M1)截止，第一电感(L1)能量输出，第三电容(C3)由第一电容(C1)的电荷通过第二晶体管(D2)进行充电；在第三电容(C3)与第二晶体管(D2)的阴极之间的节点处产生自举高压信号，输出至后端的倍压电路。

3.根据权利要求2所述的半导体传感器高压电路，其特征在于，所述倍压电路包括第二电容(C2)、第三晶体管(D3)、第四电容(C4)和第四晶体管(D4)；

所述第二电容(C2)一端接至第二晶体管(D2)的阳极和第一电容(C1)之间的节点，另一端连接第三晶体管(D3)的阴极和第四晶体管(D4)的阳极之间的节点；

所述第四电容(C4)一端接第三晶体管(D3)的阳极和第三电容(C3)之间的节点，另一端接第四晶体管(D4)的阴极和后端的电阻分压反馈电路之间的节点；

当直流脉冲PMW信号为高电平时，在所述自举高压信号作用下第二电容(C2)通过第三晶体管(D3)进行充电；

当直流脉冲PMW信号低电平时，第四电容(C4)由第二电容(C2)的电荷通过第四晶体管(D4)进行充电；从而将所述自举高压信号放大若干倍，在所述第四电容(C4)与第四晶体管(D4)的阴极之间的节点处输出高压信号，一路直接输出，另一路输入所述电阻分压反馈电路。

4.根据权利要求3所述的半导体传感器高压电路，其特征在于，所述电阻分压反馈电路包括串联的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，所述第一电阻(R1)和第二电阻(R2)之间的节点与直流脉冲PMW模块与连接；所述节点向直流脉冲PMW模块输入的反馈电压为V_ref：

其中，V₀为倍压电路输出的高压信号，r₁为第一电阻(R1)的电阻值，r₂为第二电阻(R2)的电阻值。