[发明专利]一种高压IGBT模块封装用释放液注入工装在审
申请号: | 201811619745.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109524333A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 谢龙飞;叶娜;于凯 | 申请(专利权)人: | 西安中车永电电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) 61245 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 释放液 高压IGBT模块 竖直支撑杆 水平支撑杆 工装 封装 底板 支撑杆 放液 卡座 传统高压 封装过程 卡扣连接 人员技术 注入设备 吸胶头 注胶头 卡扣 | ||
本发明提供了一种用于封装4500V以上高压IGBT模块的释放液注入工装,包括底板、卡座、卡扣和支撑杆,所述支撑杆包括竖直支撑杆和水平支撑杆,所述竖直支撑杆与水平支撑杆之间通过卡扣连接,所述竖直支撑杆与底板之间通过卡座连接,所述水平支撑杆上安装有释放液注入设备的注胶头和吸胶头。该注入工装适用于封装4500V以上的高压IGBT模块,能够极大地降低传统高压IGBT模块封装过程中释放液注入的难度,大幅减少对操作人员技术水平和经验的要求,同时还可以使经验缺乏的操作人员尽快上手,显著提高注释放液的质量,减少注释放液的时间。
技术领域
本发明属于IGBT封装技术领域,具体涉及一种高压IGBT模块封装用释放液注入工装。
背景技术
以IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)为代表的新型功率半导体器件模块是目前国际上发展最迅速、用途最广泛的功率半导体器件模块,作为电力电子节能技术的核心器件,IGBT器件在变频器、电焊机、开关电源、空调机和轨道车辆电传动系统得到了广泛的应用。
特别是应用于轨道交通系统的高压(4500V及以上)IGBT模块,其质量与可靠性直接影响着轨道车辆电传动系统的稳定性;而在高压IGBT的封装环节中有一道工序就是注释放液,以缓解不同封装材料由于热膨胀系数差异对模块造成的影响。因此,如何高效、快捷、可靠的完成释放液注入需要特别关注。
然而截至目前,尚未出现有关适用于封装4500V以上的高压IGBT模块的释放液注入相关技术见诸报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种高压IGBT模块的释放液注入工装,该注入工装适用于封装4500V以上的高压IGBT模块,能够极大地降低传统高压IGBT模块封装过程中释放液注入的难度,大幅减少对操作人员技术水平和经验的要求,同时还可以使经验缺乏的操作人员尽快上手,显著提高注释放液的质量,减少注释放液的时间。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种用于封装4500V 以上高压IGBT模块的释放液注入工装,其特征在于:包括底板、卡座、卡扣和支撑杆,所述支撑杆包括竖直支撑杆和水平支撑杆,所述竖直支撑杆与水平支撑杆之间通过卡扣连接,所述竖直支撑杆与底板之间通过卡座连接,所述水平支撑杆上安装有释放液注入设备的注胶头和吸胶头。
上述的一种用于封装4500V以上高压IGBT模块的释放液注入工装,其特征在于:所述底板是一块能够使释放液注入工装平稳放置在操作台上的硬板,所述卡座上开设有用于插设竖直支撑杆的通孔,所述底板和卡座通过螺栓连接。
上述的一种用于封装4500V以上高压IGBT模块的释放液注入工装,其特征在于:设置在底板上的卡座、卡扣、竖直支撑杆和水平支撑杆的数量均为两只,其中一只水平支撑杆上安装有释放液注入设备的注胶头,另一只水平支撑杆上安装有释放液注入设备的吸胶头。
上述的一种用于封装4500V以上高压IGBT模块的释放液注入工装,其特征在于:所述卡扣为十字形卡扣。
本发明与现有技术相比具有以下优点:
1、本发明针对传统高压IGBT模块封装过程中释放液注入难度高的技术缺陷,提供了一种释放液注入工装,该注入工装适用于封装4500V以上的高压IGBT模块,能够极大地降低传统高压IGBT模块封装过程中释放液注入的难度,大幅减少对操作人员技术水平和经验的要求,同时还可以使经验缺乏的操作人员尽快上手,显著提高注释放液的质量,减少注释放液的时间。
2、本发明提出的注入工装具有高效、便捷的显著特点,能够有效提高释放液注入的可操作性,提升产品质量,减少注释放液所需的时间,提高生产效率。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造