[发明专利]一种整流器及无源RFID标签在审
| 申请号： | 201811620862.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384866A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朱云祥 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217;G06K19/077 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 无源 rfid 标签 | ||
1.一种整流器，其特征在于，包括：开关管(SW)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和电阻(R1)；
所述第一NMOS管(MN1)的漏极、所述第一PMOS管(MP1)的漏极、所述第二NMOS管(MN2)的栅极、所述第二PMOS管(MP2)的栅极分别与所述第一电容(C1)的下极板相连；所述第一电容(C1)的上极板形成使能差分整流单元的差分输入正端；所述第二NMOS管(MN2)的漏极、所述第二PMOS管(MP2)的漏极、所述第一NMOS管(MN1)的栅极、所述第一PMOS管(MP1)的栅极分别与所述第二电容(C2)的上极板相连，电容C2的下极板形成使能差分整流单元的差分输入负端；所述第一NMOS管(MN1)的源极、所述第二NMOS管(MN2)的源极和所述开关管(SW)的源极相连；所述开关管(SW)的漏极形成使能差分整流单元的输入端；所述开关管(SW)的栅极形成使能差分整流单元的使能端；所述第一PMOS管(MP1)的源极、所述第二PMOS管(MP2)的源极分别与所述第三电容(C3)的上极板和所述电阻(R1)的第一端相连；所述第三电容(C3)的下极板和所述电阻(R1)的第二端分别接地。
2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，所述开关管(SW)为NMOS管或N型IGFET。
3.根据权利要求2所述的整流器，其特征在于，所述开关管(SW)的型号为HY1808A。
4.一种无源RFID标签，其特征在于，所述无源RFID标签包括如权利要求1-3任一项所述的整流器。
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