[发明专利]一种用于微波无线能量传输的肖特基二极管及整流电路在审
| 申请号： | 201811621009.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713034A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李薇;刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/161;H01L29/167;H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波 无线能量传输 肖特基二极管 肖特基二级管 整流电路 金属层 张应变 衬底 无线能量传输系统 最大转换效率 电子迁移率 依次层叠 应用 | ||
1.一种用于微波无线能量传输的肖特基二极管，其特征在于，包括：Si衬底(001)、第一Ge层(002)、张应变Ge层(003)、第一应力Ge层(004)、第二应力Ge层(006)、Al金属层(007)和W金属层(009)，其中，
所述第一Ge层(002)、所述张应变Ge层(003)、所述第一应力Ge层(004)、所述第二应力Ge层(006)依次层叠设置在所述Si衬底(001)的表面；
所述Al金属层(007)设置在所述第二应力Ge层(006)的表面；
所述W金属层(009)设置在所述第一应力Ge层(004)的表面。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述Si衬底(001)为厚度为300～400μm的单晶Si衬底。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述张应变Ge层(003)是对所述第一Ge层(002)表面上的第二Ge层进行热退火后形成的。
4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第一Ge层(002)的厚度为50nm，所述第二Ge层的厚度为900～950nm。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第一应力Ge层(004)为厚度为1000～1100nm，掺杂浓度为1.8×1016～2×1016cm-3的N型Ge层。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第一应力Ge层(004)为厚度为800～1000nm，掺杂浓度为1.8×1014～2×1014cm-3的N型Ge1-xSnx层。
7.根据权利要求5或6所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第二应力Ge层(006)是对所述第一应力Ge层(004)的局部表面进行P离子注入后形成的。
8.根据权利要求7所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第二应力Ge层(006)的掺杂浓度为1020cm-3。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述Al金属层(010)和所述W金属层(012)的厚度均为10～20nm。
10.一种用于微波无线能量传输的整流电路，其特征在于，所述整流电路包括权利要求1-9任一项所述的肖特基二极管。
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