[发明专利]电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法在审

专利信息
申请号: 201811621102.X 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN111383686A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: A·罗伊;唐衍哲 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C8/08;G11C7/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电阻 存储器 设备 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种电阻存储器设备,其特征在于,包括:

存储器单元,所述存储器单元包括至少两个晶体管和电阻元件;

位线,通过所述位线与所述存储器单元交换数据,其中所述位线以电子方式与所述存储器单元互连;以及

位线调节器,所述位线调节器连接到所述位线,其中所述位线调节器基于所述电阻元件的状态来调节所述位线,其中形成信号和电压设置通过所述位线调节器且跨越所述位线传输到所述存储器单元。

2.根据权利要求1所述的电阻存储器设备,其特征在于,所述电阻元件包括可变电阻器。

3.根据权利要求1所述的电阻存储器设备,其特征在于,所述位线调节器在所述形成信号传输到所述存储器单元的形成操作期间引导到所述存储器单元。

4.根据权利要求1所述的电阻存储器设备,其特征在于,进一步包括与所述存储器单元互连的字线、源极线和中间感测线。

5.根据权利要求4所述的电阻存储器设备,其特征在于,所述位线调节器包括在写入操作期间连接到所述中间感测线的电容分压器,所述写入操作涉及在所述位线处将数据写入到所述存储器单元。

6.根据权利要求4所述的电阻存储器设备,其特征在于,所述中间感测线在重置写入模式中连接到所述源极线以增大所述存储器单元的所述至少两个晶体管中的至少一个的晶体管强度。

7.根据权利要求1所述的电阻存储器设备,其特征在于,进一步包括RRAM(电阻性随机存取存储器),所述RRAM包括所述存储器单元、所述位线和所述位线调节器。

8.根据权利要求1所述的电阻存储器设备,其特征在于,所述电阻元件包括电阻存储元件。

9.一种电阻存储器设备,其特征在于,包括:

多个存储器单元,其中所述多个存储器单元当中的每个存储器单元包括至少两个晶体管和电阻元件;

多个位线,通过所述多个位线与所述多个存储器单元交换数据,其中所述多个位线以电子方式与所述多个存储器单元互连;以及

至少一个位线调节器,所述至少一个位线调节器连接到所述多个位线,其中所述至少一个位线调节器基于所述电阻元件的状态来调节所述多个位线,其中形成信号和电压设置通过所述至少一个位线调节器且跨越所述多个位线传输到所述多个存储器单元。

10.一种操作电阻存储器设备的方法,其特征在于,包括:

基于存储器单元的电阻元件的状态,通过连接到位线的位线调节器来调节所述位线,所述存储器单元包括至少两个晶体管和所述电阻元件,其中所述位线以电子方式互连到所述存储器单元;以及

通过所述位线调节器且跨越所述位线将形成信号和电压设置传输到所述存储器单元。

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