[发明专利]一种太赫兹真空二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811621877.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860001A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 阮存军;戴军;徐向晏;刘虎林;丁一坤 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学;中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J21/04 | 分类号： | H01J21/04;H01J19/02;H01J19/32;H01J19/54;H01J9/12;H01J9/30 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空通道 真空二极管 阳极 光阴极 制造 真空电子器件 密封腔 圆台状 贯穿 | ||
1.一种太赫兹真空二极管，其特征在于，包括光阴极、真空通道层和阳极，其中：
在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述真空通道层，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔，所述真空通道呈圆台状，所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述光阴极和所述阳极平行设置。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述阳极采用导电材料。
4.根据权利要求1至3任一项所述的二极管，其特征在于，所述光阴极为金属光阴极、负电子亲和势光阴极或者正电子亲和势光阴极。
5.一种如权利要求1至4任一项所述的太赫兹真空二极管的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成阳极；
在所述阳极上沉积绝缘材料层；
在所述绝缘材料层刻蚀出真空通道，获得真空通道层；
在透光基底材料层上形成光阴极；
将所述真空通道层与所述光阴极进行拼接。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述衬底的厚度为0.5～5毫米。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料层的厚度为1～10微米。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述真空通道层的壁厚大于3微米。
9.根据权利要求5至8任一项所述的方法，其特征在于，所述阳极采用导电金属或者导电合金。
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