[发明专利]一种阵列式太赫兹真空三极管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列式太赫兹真空三极管器件，其特征在于，包括衬底和多个太赫兹真空三极管，所述多个太赫兹真空三极管在所述衬底上呈阵列排布，其中：

每个所述太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极，所述阳极设置在所述衬底上，所述真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层，在所述真空通道层设置真空通道，所述真空通道贯穿所述第一绝缘材料层、所述门控制极和所述第二绝缘材料层，所述门控制极设置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之间，所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端，所述门控制极和所述阳极之间设置所述第一绝缘材料层，所述门控制极和所述光阴极之间设置所述第二绝缘材料层，所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔。

2.根据权利要求1所述的三极管器件，其特征在于，所述多个太赫兹真空三极管呈线性阵列排布。

3.根据权利要求1所述的三极管器件，其特征在于，所述多个太赫兹真空三极管呈矩形阵列排布。

4.根据权利要求1所述的三极管器件，其特征在于，相邻两个所述太赫兹真空三极管之间的距离为1～2微米。

5.根据权利要求1至4任一项所述的三极管器件，其特征在于，所述真空通道呈圆台形，且所述光阴极与所述真空通道的接触面积小于所述阳极与所述真空通道的接触面积。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的阵列式太赫兹真空三极管器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成多个太赫兹真空三极管的阳极；其中，所述多个太赫兹真空三极管的阳极呈阵列排布；

在每个所述太赫兹真空三极管的阳极上分别沉积第一绝缘材料层；

在每个所述太赫兹真空三极管的第一绝缘材料层上分别沉积门控制极；

在每个所述太赫兹真空三极管的门控制极上分别沉积第二绝缘材料层；

在每个所述太赫兹真空三极管的第二绝缘材料层、门控制极和第一绝缘材料层刻蚀出真空通道，形成每个所述太赫兹真空三极管的真空通道层；

在透光基底材料层上形成光阴极，每个所述太赫兹真空三极管的真空通道层对应一个所述光阴极；

将每个所述太赫兹真空三极管的真空通道层与对应的光阴极进行拼接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多个太赫兹真空三极管的阳极呈线性阵列排布。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多个太赫兹真空三极管的阳极呈矩形阵列排布。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，相邻两个所述太赫兹真空三极管的阳极之间的距离为1～2微米。

10.根据权利要求6至9任一项所述的方法，其特征在于，所述门控制极采用氮化钛或者石墨烯。