[发明专利]一种单晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201811622293.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111383907A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈东强;徐海玉;任晓刚;彭洪修 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;王芳 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 清洗 方法 | ||
1.一种单晶片清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤(1)，向旋转的晶片表面喷射去离子水或有机溶剂，以预润湿晶片表面；
步骤(2)，向旋转的晶片表面喷射清洗液，以去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物；
步骤(3)，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；
步骤(4)，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。
2.根据权利要求1所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述的有机溶剂为电子级有机溶剂。
3.根据权利要求2所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述的有机溶剂为电子级异丙醇。
4.根据权利要求1所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述的去离子水或有机溶剂的温度为20℃-100℃。
5.根据权利要求4所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述的去离子水或有机溶剂的温度为常温。
6.根据权利要求1所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(1)的处理时间为1s-100s。
7.根据权利要求6所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(1)的处理时间为1s-20s。
8.根据权利要求1所述的单晶片清洗方法，其特征在于，包括依次重复循环步骤(2)和步骤(3)至少一次。
9.根据权利要求1所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(4)所述的氮气的流速为1-50L/min。
10.根据权利要求9所述的单晶片清洗方法，其特征在于，步骤(4)所述的氮气的流速为1-10L/min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
