[发明专利]一种印刷金属电极的钝化太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括n+掺杂多晶硅层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；

所述N型晶体硅基体靠近所述n+掺杂多晶硅层的一侧形成有掺杂多晶硅带尾层。

2.根据权利要求1所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅带尾层包括交替设置的第一带尾区域和第二带尾区域，所述第一带尾区域厚度大于所述第二带尾区域的厚度，所述n+金属电极对应所述第一带尾区域设置。

3.根据权利要求2所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂多晶硅层包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域，所述第一多晶硅区域的厚度小于所述第二多晶硅区域的厚度；所述第一多晶硅区域对应所述第一带尾区域，所述第二多晶硅区域对应所述第二带尾区域。

4.根据权利要求3所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一多晶硅区域的掺杂浓度大于所述第二多晶硅区域的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一多晶硅区域的厚度为50～300nm，方块电阻值为10～60Ω/sq；

所述第二多晶硅区域的厚度为150～400nm，方块电阻值为30～200Ω/sq。

6.根据权利要求1所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述N型晶体硅基体的背表面与所述n+掺杂多晶硅层之间还包括隧穿氧化层。

7.根据权利要求6所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为0.5～2.5nm；材料为二氧化硅或者二氧化钛。

8.根据权利要求1所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次包括p+掺杂发射极层、前钝化减反射薄膜和p+金属电极。

9.根据权利要求8所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池，其特征在于，所述n+金属电极和p+金属电极均为“H”型栅线，主栅等间距设置4～12根，宽度100～800μm，高度为10～40μm；副栅等间距设置90～120根，宽度为20～60μm，高度为10～40μm。

10.一种印刷金属电极的钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面清洗，去除损伤层并制绒；

(2)对制绒后的N型晶体硅基体进行双面硼扩散，形成双面p+掺杂区域，刻蚀N型晶体硅基体的背表面，去除背面p+掺杂区域；

(3)在N型晶体硅基体刻蚀面上生长一层隧穿氧化层，再在低压化学气相沉积设备中沉积本征多晶硅，形成本征多晶硅层；

(4)间歇地激光烧蚀本征多晶硅层，间歇地减薄本征多晶硅层的厚度形成第一区域本征多晶硅层，余下未减薄区域为第二区域；

(5)掺杂及晶化本征多晶硅层，形成n+掺杂多晶硅层，并在N型晶体硅基体靠近n+掺杂多晶硅层的一侧形成有掺杂多晶硅带尾层；

n+掺杂多晶硅层包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域，所述掺杂多晶硅带尾层包括第一带尾区域和第二带尾区域，所述第一带尾区域对应所述第一多晶硅区域形成，所述第二带尾区域对应所述第二多晶硅区域形成；

(6)在前表面和背表面上分别沉积前钝化减反射薄膜和背钝化减反射薄膜；

(7)在前钝化减反射薄膜和背钝化减反射薄膜上分别丝网印刷与烧结p+金属电极和n+金属电极；所述n+金属电极对应所述第一带尾区域设置。

11.根据权利要求10所述的一种印刷金属电极的钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中所述第一多晶硅区域的掺杂浓度大于所述第二多晶硅区域的掺杂浓度；所述第一带尾区域深度大于所述第二带尾区域的深度。