[发明专利]一种p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811622814.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109650352A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李萍剑;雷明东;徐克赛;青芳竹;张万里;李雪松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 温区 磷掺杂 制备 二硒化钨 二维 混合物 衬底 单质 制备技术领域 钨源 硒源 玻璃 | ||
1.一种p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，该制备方法以Se单质为硒源，以WO3和NaCl的混合物为钨源，以P2O5为磷掺杂源，采用三温区的制备方式，在玻璃衬底上制得p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料；其中，Se单质、P2O5以及NaCl和WO3的混合物分别置于第一温区、第二温区和第三温区中，衬底置于第三温区中。
2.根据权利要求1所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将Se单质、P2O5以及WO3和NaCl的混合物分别置于第一温区、第二温区和第三温区中，并且在第三温区中放入衬底；其中，所述衬底按照硅片、铜箔和钠钙玻璃的顺序由下至上依次堆叠而成；
(2)在惰性气氛下，将上述三个温区升温至90-120℃，保温8-12min，去除系统中吸附的H2O；然后，同时将第一温区用升温至250-300℃，第二温区用升温至350-450℃，第三温区升温至790-810℃；
(3)通入氢气，保温8-12min后冷却至室温。
3.根据权利要求2所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，将Se单质置于石英舟中，将P2O5以及WO3和NaCl的混合物分别置于硅片上，将铜箔进行抛光处理，采用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对硅片和钠钙玻璃进行超声处理。
4.根据权利要求2所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，在升温过程中，保持通入80-120sccm的氩气。
5.根据权利要求4所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，在保温过程中，氩气流量保持不变，通入氢气的流量为4-6sccm。
6.根据权利要求2所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，第三温区的升温速率为35-40℃/min。
7.根据权利要求1-6任一项所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，按照重量份计，Se单质80-120份、P2O5 10-30份以及NaCl和WO3的混合物25-35份；其中，WO3和NaCl的质量比为(4-6)：1。
8.根据权利要求7所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，P2O5与WO3和NaCl的混合物之间的距离为5-20cm。
9.根据权利要求1所述的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料的制备方法，其特征在于，所述玻璃衬底为钠钙玻璃。
10.利用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的p型磷掺杂二维二硒化钨半导体材料。
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