[发明专利]装配和制造友好型波导发射器在审

专利信息
申请号: 201811622908.0 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN110034357A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: G.C.多贾米斯;S.N.奥斯特;A.A.埃尔舍比尼;T.坎盖英 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01P1/04 分类号: H01P1/04;H01P5/10;H04B1/03
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;刘春元
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 波导连接器 波导发射器 槽线 信号转换器 锥形体 不平衡变换器 闭合信号 信号转换 耦合到 波导 封装 装配 连接器 闭合波导 模式信号 电耦合 锥形槽 成槽 焊盘 平衡 外壁 终端 发射 传播 制造
【权利要求书】:

1. 一种波导发射器和连接器,包括:

带有波导发射器、锥形体和槽线信号转换器的波导连接器;以及

在所述槽线信号转换器上的平衡-不平衡变换器结构,其中所述锥形体被设置在所述波导连接器的所述槽线信号转换器和终端上以形成通道和锥形槽。

2.如权利要求1所述的波导发射器和连接器,进一步包括:

具有一个或多个层、线和径向短截线的封装,其中所述线在所述封装的层上,所述线是微带馈线,并且所述线在所述径向短截线处端接;

所述波导连接器在所述波导连接器的一个或多个外壁上具有一个或多个装配焊盘;

在所述封装的顶表面上的所述波导连接器,其中所述波导连接器的所述装配焊盘和所述外壁中的至少一个被电耦合到所述封装的所述顶表面;以及

耦合到所述波导连接器的波导。

3.如权利要求1-2所述的波导发射器和连接器,其中所述波导发射器包括单层谐振补片发射器、堆叠式补片发射器、锥形槽发射器、漏波发射器或微带到槽转变发射器。

4.如权利要求1-3所述的波导发射器和连接器,其中所述平衡-不平衡变换器结构包括一个或多个成形开口,其中所述一个或多个成形开口包括哑铃形结构和双瓣结构,并且其中所述一个或多个成形开口包括圆形开口、矩形开口、楔形开口、六角形开口、半圆形开口、半矩形开口、半多边形开口和半六角形开口。

5.如权利要求1-4所述的波导发射器和连接器,其中所述波导连接器具有一个或多个内壁,其中所述一个或多个内壁包括所述终端、顶表面、和与所述顶表面相对的底表面,并且其中所述波导连接器的所述底表面形成所述槽线信号转换器。

6.如权利要求1-5所述的波导发射器和连接器,其中所述锥形体包括直线锥形体、阶式锥形体、双鳍锥形体、指数锥形体、正方形锥形体和椭圆锥形体中的至少一个。

7.如权利要求1-6所述的波导发射器和连接器,其中所述平衡-不平衡变换器结构接收来自所述封装的所述微带馈线的信号,并且将所述信号转换成槽线信号,其中所述波导发射器通过所述锥形体将所述槽线信号转换成闭合波导模式信号,以及其中所述波导发射器沿所述通道来发射所述闭合波导模式信号,并沿所述波导发射器的所述锥形体槽将所述闭合波导模式信号传播到耦合到所述波导连接器的所述波导。

8.如权利要求1-7所述的波导发射器和连接器,其中所述波导连接器进一步包括一个或多个隔室,并且其中所述隔室的每个包括平衡-不平衡变换器结构、波导发射器、锥形体和槽线信号转换器。

9.如权利要求1-8所述的波导发射器和连接器,其中所述波导是金属性波导和介电波导中的至少一个。

10. 一种形成波导发射器和连接器的方法,包括:

将波导发射器、锥形体和槽线信号转换器设置在波导连接器上;以及

在所述槽线信号转换器上设置平衡-不平衡变换器结构,其中所述锥形体被设置在所述波导连接器的所述槽线信号转换器和终端上以形成通道和锥形槽。

11.如权利要求10所述的方法,进一步包括:

将一个或多个层、线和径向短截线设置在封装上,其中所述线在所述封装的层上,所述线是微带馈线,并且所述线在所述径向短截线处端接;

将一个或多个装配焊盘设置在所述波导连接器的一个或多个外壁上;

在所述封装的顶表面上设置所述波导连接器,其中所述波导连接器的所述装配焊盘和所述外壁中的至少一个被电耦合到所述封装的所述顶表面;以及

将波导耦合到所述波导连接器。

12.如权利要求10-11所述的方法,其中所述波导发射器包括单层谐振补片发射器、堆叠式补片发射器、锥形槽发射器、漏波发射器或微带到槽转变发射器。

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