[发明专利]具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体及其制备方法有效
| 申请号： | 201811623209.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109778118B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张丽丽;任保国;王泽深 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 复合 结构 界面 势垒层 gete 温差 单体 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体，其特征在于，在GeTe基温差电单体的两端有纳米复合结构界面势垒层，纳米复合结构界面势垒层厚度为1μm～3μm，势垒层为三层材料叠加：Mo—纳米C—Mo，各层材料厚度设计比例为Mo:纳米C:Mo＝2:1:2。
2.根据权利要求1所述具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体，其特征在于，所述GeTe温差电单体分子式为GeTex(PbaMn1-aTe)1-x，其中x的取值范围为80％～95％，a的取值范围为60％～70％，百分比为原子百分比。
3.如权利要求1或2所述具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体的制备方法，其特征在于，分三层溅射，溅射过程实现纳米结构原位生长，溅射顺序为Mo—纳米C—Mo。
4.根据权利要求3所述具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体的制备方法，其特征在于，第一层Mo溅射功率为(40～60)W，溅射时间为(20～40)min，溅射温度为室温；第二层纳米C溅射功率为(200～320)W，溅射时间为(10～30)min，溅射温度为80℃；第三层Mo溅射功率为(100～150)W，溅射时间为(60～120)min，溅射温度为室温。
5.根据权利要求3所述具有纳米复合结构界面势垒层的GeTe基温差电单体的制备方法，其特征在于，所述GeTe基单体尺寸为Φ5.5mm×18mm。
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