[发明专利]铜基底上化学镀金属的方法及由其制备而成的印刷电路板和晶圆有效
| 申请号： | 201811623655.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109661121B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李小兵;黎小芳;张俊林 | 申请（专利权）人： | 广东东硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/24 | 分类号： | H05K3/24 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤;万志香 |
| 地址： | 510550 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 化学 镀金 方法 制备 印刷 电路板 | ||
1.一种铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，包括以下步骤：除油、微蚀、预浸、活化、化学镀金属；
且在所述活化的步骤之前将所述铜基底及其附着的表面温度降至小于20℃。
2.根据权利要求1所述的铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，所述化学镀金属是沉镍金或沉镍钯金。
3.根据权利要求1所述的铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，在所述预浸的步骤中，将所述铜基底及其附着的表面温度降至小于20℃。
4.根据权利要求3所述的铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，在所述预浸的步骤中，将所述铜基底及其附着的表面温度降至15℃以下。
5.根据权利要求1-4任一项所述的铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，在所述预浸步骤中，在用于预浸的预浸槽外设置水浴套，以将所述铜基底及其附着的表面温度降低至所需温度。
6.根据权利要求5所述的铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，预浸时间为1-4分钟。
7.根据权利要求1-4任一项所述的铜基底上化学镀金属的方法，其特征在于，在所述活化的步骤中，在温度为20℃-30℃的条件下进行活化。
8.权利要求1-7任一项所述的铜基底上化学镀金属的方法在制备印制电路板或晶圆中的应用。
9.一种印刷电路板，其特征在于，包括采用权利要求1-7任一项所述的铜基底上化学镀金属的方法制备而成的金属层。
10.一种晶圆，其特征在于，包括采用权利要求1-7任一项所述的铜基底上化学镀金属的方法制备而成的金属层。
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