[发明专利]一种Wettable Flank封装结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种Wettable Flank封装结构及其制备方法，所述封装结构包括引线框架(1)，所述引线框架(1)包括基岛(11)和引脚(12)，所述基岛(11)上通过胶片胶(2)设置有芯片(3)，所述芯片(3)外围区域包封有塑封料(4)，所述塑封料(4)四周通过切割形成第一台阶(5)，所述第一台阶(5)四周通过切割形成第二台阶(6)，所述第二台阶(6)区域的引脚(12)裸露在外，所述基岛(11)和引脚(12)裸露在外的表面上设置有保护镀层(7)。本发明它能够克服传统DFN产品引脚面积过小、焊接高度低而产生PCB贴装焊锡易开裂以及PCB贴装焊锡后无法检测确认焊点质量或检测确认困难的问题。

技术领域

本发明涉及一种Wettable Flank(可润湿侧爬)封装结构及其制备方法，属于半导体封装技术领域。

背景技术

传统DFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露基岛用来导热，围绕大基岛的封装外围四周有实现电气连结的导电引脚。引脚面积较小，并且DFN产品与印刷电路板之间的焊接高度低，当DFN产品与印刷电路板热膨胀系数不同时，会导致引脚焊锡开裂。

传统DFN产品引脚在塑封体正下方形成，因此，检查焊点质量时，采用传统视觉检查技术，困难且耗时，需要将PCB倾斜一定的角度才可能进行检测确认；采用X-ray检查技术，因焊锡高度低，焊锡量少也需要精度更高的专用设备才能满足检查要求。此时，电测试是确定焊接端子电连接性的唯一方法。但是在某些应用中，所有终端的全电测试比较困难或不完整。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种Wettable Flank封装结构及其制备方法，它能够克服传统DFN产品引脚面积过小、焊接高度低而产生PCB贴装焊锡易开裂以及PCB贴装焊锡后无法检测确认焊点质量或检测确认困难的问题。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种Wettable Flank封装结构，它包括引线框架，所述引线框架包括基岛和引脚，所述基岛上通过装片胶设置有芯片，所述芯片外围区域包封有塑封料，所述塑封料四周通过切割形成第一台阶，所述第一台阶四周通过切割形成第二台阶，所述第二台阶区域的引脚裸露在外，所述基岛和引脚裸露在外的表面上设置有保护镀层。

一种Wettable Flank封装结构的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一DFN引线框架，引线框架单颗产品的四周引脚与相邻产品引脚互连导通，并在DFN引线框架上进行装片、球焊和包封作业；

步骤二、对引脚区域的塑封体上利用刀片进行第一次切割，形成第一凹槽；

步骤三、在第一凹槽上利用激光进行第二次切割，形成第二凹槽，第二凹槽区域的引脚裸露在外，第二次切割宽度小于第一次切割宽度；

步骤四、将引线框架底部及切割裸露的引脚表面镀敷一层保护层；

步骤五、从引线框架背面利用刀片进行第第三次切割，第三次切割宽度小于第二次切割宽度，将单颗产品切割分离成型。

优选的，步骤二中第一凹槽处预留包封厚度40～60um。

优选的，步骤四中保护层采用锡、镍金或镍钯金。

一种Wettable Flank封装结构的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取一DFN引线框架，引线框架单颗产品的四周引脚与相邻产品引脚互连导通，并在DFN引线框架上进行装片、球焊和包封作业；

步骤二、对引脚区域的塑封体上利用刀片进行第一次切割，形成第一凹槽；

步骤三、在第一凹槽上利用激光进行第二次切割，第二次切割宽度小于第一次切割宽度，第一凹槽的塑封体形成第一台阶，引脚区域形成第二凹槽，第二凹槽区域的引脚裸露在外；