[发明专利]一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺

说明书

本发明涉及多晶太阳能电池的石墨舟饱和领域。一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，在NH₃预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500w，射频占空比为2ms：12ms，NH₃和N₂流量均为4slm，持续时间120s；氮化硅沉积过程中，炉管压力设定为1800mTorr，射频功率设定为7000w，射频占空比为6ms：38ms，SiH₄流量为850sccm，NH₃流量为7.5slm，假片饱和，设定沉积时间80min，空舟饱和，设定时间40min。本发明不仅在较短的沉积时间内，取得了与之前原始工艺相同的饱和效果。

技术领域

本发明涉及多晶太阳能电池的石墨舟饱和领域。

背景技术

PECVD工艺是借助射频将活性气体SiH₄和NH₃电离，活性气体经解离形成了等离子体，这些高活性的等离子体之间又发生反应，在硅片上沉积出一层氮化硅薄膜。而石墨舟饱和工艺的作用是在石墨舟内壁上沉积一层氮化硅膜，从而使得内壁各处均呈氮化硅状态，这样会使石墨舟内部各处的氮化硅沉积速率趋于一致，从而使PECVD镀膜取得良好的均匀性。

现有技术中，在NH₃预处理过程中，预处理时间较长为12min，预处理过程中有清理表面杂质的作用；在氮化硅沉积过程中，占空比一般为5ms：40-50ms，即射频轰击时间5ms，间隔时间40-50ms；这样就导致饱和时间较长，由于饱和工艺和生产工艺在同一机台上运行，较大程度上影响了PECVD段的产能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：如何在保持良好的饱和效果的前提下，减少石墨舟饱和工艺

过程的时间。

本发明所采用的技术方案是：一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺，在NH₃预处理过程中，将炉管压力设定为1700mTorr，射频功率设定为6500w，射频占空比为2ms：12ms，NH₃和N₂流量均为4slm，持续时间120s；氮化硅沉积过程中，炉管压力设定为1800mTorr，射频功率设定为7000w，射频占空比为6ms：38ms，SiH₄流量为850sccm，NH₃流量为7.5slm，假片饱和，设定沉积时间80min，空舟饱和，设定时间40min。

本发明的有益效果是：本发明通过优化饱和工艺中的预处理和沉积阶段占空比的方式，压缩了石墨舟的饱和时间，提升了多晶PECVD的产量。创造性的NH₃预处理过程中，设定射频占空比为2ms：12ms，然后加入了2min的NH₃和N₂预处理，不仅能够完成对表面杂质的有效清理，而且缩短了预处理时间8min。创造性在氮化硅沉积过程中将占空比更改为6ms：38ms(1/6.3)，同时将假片饱和的沉积时间由85min修改为80min，空舟饱和设定时间由85min 修改为40min，不仅在较短的沉积时间内，取得了与之前原始工艺相同的饱和效果，而且

色差吸出比例（4%）和颜色均匀性与调整之前的饱和工艺基本持平。

具体实施方式

本实施例中中饱和工艺分为假片饱和（单面假片）和空舟饱和两步，假片饱和需要在清洗完的石墨舟内插入石墨假片，待舟冷却结束后，将石墨假片取出，再进行空舟饱和。两次饱和均采取相同的饱和配方，根据饱和方式设定不同的沉积时间。

步骤一、炉管充气，将炉管温度设定为450℃，向炉管内充入10slm氮气，压力维持在10000mTorr；

步骤二、进舟，进舟速度为400cm/min，N₂流量为10slm；