[发明专利]一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器

权利要求书

1.一种基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；其特征在于，

所述沟道层为非晶氧化镓基薄膜；

所述薄膜晶体管为底栅结构，所述衬底上设有栅电极，栅电极外覆盖有栅介质层，栅介质层上部分覆盖有沟道层，沟道层的两端部分别设有源电极和漏电极；或，

所述薄膜晶体管为顶栅结构，所述衬底覆盖有沟道层，沟道层上部分覆盖有栅介质层，栅介质层的两端部分别设有源电极和漏电极，栅介质层上设有栅电极。

2.根据权利要求1所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述非晶氧化镓基薄膜包括非晶氧化镓和掺杂元素，所述掺杂元素选自锌、镁、锡、硅、镉或铟中的一种或至少两种的组合；所述掺杂元素与镓元素的原子比为0.01-0.25:0.75-0.99。

3.根据权利要求2所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述非晶氧化镓基薄膜包括非晶氧化镓和掺杂元素锌，所述掺杂元素锌与镓元素的原子比为0.05-0.2:0.80-0.95。

4.根据权利要求1或2所述的非晶氧化镓基薄膜晶体管深紫外光电探测器，其特征在于，所述非晶氧化镓基薄膜的厚度为10nm-200nm。

5.根据权利要求4所述的非晶氧化镓基薄膜晶体管深紫外光电探测器，其特征在于，所述非晶氧化镓基薄膜的厚度为15nm-20nm。

6.根据权利要求1所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述栅介质层的材料选自含有硅、铝、镁、钙、钆、铪、锆、钪、镥、钇、锶或镧中的一种或至少两种氧化物的组合。

7.根据权利要求1所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极的材料均选自铝、铜、钼、钛、银、金、钽、钨、铬或铂中的一种或至少两种的组合。

8.根据权利要求7所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极的材料选自ITO/Au。

9.根据权利要求1所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述源电极和所述漏电极的结构为平行对电极或叉指电极。

10.根据权利要求1所述的基于非晶氧化镓基薄膜晶体管的深紫外光电探测器，其特征在于，所述栅电极、栅介质层、源电极和漏电极采用镀膜工艺制备，所述沟道层采用溶液法旋涂工艺制备。