[发明专利]一种基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法

权利要求书

1.一种基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法，以玻璃或硅片为衬底，采用原子层沉积方法依次沉积金属薄膜作为正极集流体，沉积金属氟化物薄膜作为正极活性物质，沉积氟化物薄膜作为固态电解质，沉积金属薄膜作为负极及负极集流体薄膜，完成全固态氟离子电池的制备；

所述正极活性物质为金属氟化物薄膜，采用原子层沉积方法分别以SnF₂、CuF₂、InF₃、SrF₂、YF₃或FeF₃氟化物对应的前驱体为原材料进行沉积制备，并调整原子层沉积过程中各前驱体的剂量、反应、清洗时间参数将沉积薄膜的厚度控制在0.02μm-0.1μm之间；

所述固态电解质为二元或三元氟化物薄膜，采用原子层沉积方法分别以BaF₂、CaF₂、LaF₃或La_1-xBa_xF_3-x、Ba_1-xCa_xF₂可充当电解质的氟化物对应的前驱体为原材料进行沉积制备，并调整原子层沉积过程中各前驱体的剂量、反应、清洗时间参数将沉积薄膜的厚度控制在0.02μm-0.1μm之间。

2.根据权利要求1所述基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法，所述正极集流体为金属薄膜，采用原子层沉积方法分别以氢气和Sn、Cu、In、Ag、Ti金属中任一种或几种组合的前驱体为原材料进行沉积制备，并通过调整原子层沉积过程中各前驱体的剂量、反应、清洗时间参数将沉积薄膜的厚度控制在0.02μm-0.1μm之间。

3.根据权利要求1所述基于原子层沉积的全固态氟离子电池的制备方法，所述负极及负极集流体为金属薄膜，采用原子层沉积方法分别以氢气和Al、Mg、Ce金属中任一种或几种组合的前驱体为原材料进行沉积制备并调整原子层沉积过程中各前驱体的剂量、反应、清洗时间参数将沉积薄膜的厚度控制在0.02μm-0.1μm之间。