[发明专利]一种大功率整流二极管用封装框架

权利要求书

1.一种大功率整流二极管用封装框架，包括引线框架(1)和塑封体(2)，所述塑封体(2)设置于引线框架(1)外部，其特征在于：所述引线框架(1)包括多个单元框架(3)，所述单元框架(3)包括边框板(4)，所述边框板(4)底部开设有定位槽(5)，所述边框板(4)两侧底部开设有半圆定位孔(6)，所述边框板(4)内侧设有通槽(7)，所述通槽(7)内部设有两端与边框板(4)连接的第一外引脚(8)、第二外引脚(9)和第三外引脚(10)，所述第一外引脚(8)、第二外引脚(9)和第三外引脚(10)对应的边框板(4)顶部对应设有第一内引脚(11)、第二内引脚(12)和第三内引脚(13)，所述第一内引脚(11)和第三内引脚(13)顶端分别连接有装芯片散热底板(14)，所述第一内引脚(11)和第三内引脚(13)与装芯片散热底板(14)连接处底部设置有防水槽(15)。

2.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述引线框架(1)由多个单元框架(3)呈一字型排列组成，且多个所述单元框架(3)一体化设置，相邻两个单元框架(3)上的两个半圆定位孔(6)合成一个圆孔，用于定位安装。

3.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述第一外引脚(8)和第三外引脚(10)分别设置于第二外引脚(9)两侧，所述边框板(4)、第一外引脚(8)、第二外引脚(9)、第三外引脚(10)、第一内引脚(11)、第二内引脚(12)、第三内引脚(13)和装芯片散热底板(14)一体化设置，且由高导电导热的铜材制成。

4.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述边框板(4)厚度设置为1.3mm，所述第一外引脚(8)、第二外引脚(9)、第三外引脚(10)、第一内引脚(11)、第二内引脚(12)、第三内引脚(13)和装芯片散热底板(14)厚度均设置为0.5mm，所述第一外引脚(8)、第二外引脚(9)和第三外引脚(10)宽度设置为0.8mm，所述第一内引脚(11)、第二内引脚(12)和第三内引脚(13)宽度设置为1.28mm。

5.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述塑封体(2)一侧壁上设有插孔，所述装芯片散热底板(14)与插孔活动卡接，且第二外引脚(9)、第一外引脚(8)和第三外引脚(10)顶端均延伸至插孔内部，由220全包塑封。

6.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述防水槽(15)截面设置为V形，所述防水槽(15)与插孔相配合。

7.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述装芯片散热底板(14)上表面低于边框板(4)上表面，且高度差值为2.33mm，所述装芯片散热底板(14)下表面上均匀设有多个凹点(17)。

8.根据权利要求1所述的一种大功率整流二极管用封装框架，其特征在于：所述塑封体(2)远离插孔的一端设有安装孔(18)，所述装芯片散热底板(14)顶端内侧设有半圆孔(16)，两个所述装芯片散热底板(14)上的半圆孔(16)同心设置且与安装孔(18)相对应。