[发明专利]电中性掺杂的GeTe基赝三元温差电材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811625389.3 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109678510A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 张丽丽;阎勇;王泽深 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: C04B35/547 分类号: C04B35/547;C04B35/653
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 李凤
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电中性 温差电材料 合金固溶体 热处理 熔炼 掺杂的 制备 掺杂 自补偿效应 保温保压 材料成型 热压工艺 中频熔炼 原子数 碲化铋 目筛 配制 成型
【权利要求书】:

1.一种电中性掺杂的GeTe基赝三元温差电材料,其特征在于,在GeTe基赝三元温差电材料中掺杂电中性碲化铋Bi2Te3

2.根据权利要求1所述电中性掺杂的GeTe基赝三元温差电材料,其特征在于,该材料的分子式为(GeTe)0.8-y(Mn0.6Pb0.4Te)0.2(Bi2Te3)y,其中y为0.015~0.04,y为原子数。

3.如权利要求1-2任一项所述电中性掺杂的GeTe基赝三元温差电材料的制备方法,其特征在于,按照分子式进行原材料配制;采用中频熔炼的方法进行合金固溶体熔炼,温度800℃~1000℃,时间40min~60min;对熔炼好的合金固溶体进行粉碎过200目筛;采用热压工艺进行材料成型,压力30MPa~60MPa,温度500℃~650℃,保温保压时间40min~60min;对成型后材料进行热处理,热处理温度400℃~520℃,处理时间360min~720min。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所,未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811625389.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top